Invention Grant
- Patent Title: 分析光刻掩模的缺陷位置的方法与设备
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Application No.: CN201880017005.1Application Date: 2018-03-01
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Publication No.: CN110622067BPublication Date: 2023-05-16
- Inventor: M.布达科 , R.肖恩伯格
- Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- Applicant Address: 德国上科亨
- Assignee: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- Current Assignee: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- Current Assignee Address: 德国上科亨
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 王蕊瑞
- Priority: 102017203879.9 20170309 DE
- International Application: PCT/EP2018/055037 2018.03.01
- International Announcement: WO2018/162316 EN 2018.09.13
- Date entered country: 2019-09-09
- Main IPC: G03F1/84
- IPC: G03F1/84 ; G06T7/00
Abstract:
本发明涉及一种分析光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的方法，该方法具有下列步骤：(a)获得该光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的测量数据；(b)从该光刻掩模(200、700)的计算机辅助设计(CAD)数据(300)决定该缺陷位置(230、730)的参考数据；(c)使用至少一个位置相关修正值来修正该参考数据；以及(d)通过比较该测量数据与该已修正参考数据来分析该缺陷位置(230、730)。
Public/Granted literature
- CN110622067A 分析光刻掩模的缺陷位置的方法与设备 Public/Granted day:2019-12-27
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