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发明公开
CN110670125A 一种生长在蓝宝石衬底上的硫化钼二维材料的制备方法 无效 - 驳回

  • 专利标题： 一种生长在蓝宝石衬底上的硫化钼二维材料的制备方法
  • 专利标题（英）： Preparation method of molybdenum sulfide two-dimensional material growing on Sappire substrate
  • 申请号： CN201911065406.7
    申请日： 2019-11-04
  • 公开(公告)号： CN110670125A
    公开(公告)日： 2020-01-10
  • 发明人: 莫炯炯 , 王志宇 , 陈华 , 郁发新
  • 申请人： 浙江大学
  • 申请人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
  • 专利权人： 浙江大学
  • 当前专利权人： 浙江大学
  • 当前专利权人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
  • 代理机构： 杭州求是专利事务所有限公司
  • 代理商 陈升华
  • 主分类号： C30B25/00
  • IPC分类号： C30B25/00 ;  C30B29/46 ;  C23C16/30
一种生长在蓝宝石衬底上的硫化钼二维材料的制备方法
摘要：
本发明公开了一种生长在Sappire衬底上的MoS2二维材料的制备方法，包括如下步骤：衬底准备：采用Sapphire衬底，不进行任何预处理；原料准备：将Sapphire衬底传送进MOCVD腔内的石英台上，腔内压强控制在20Torr，腔内始终通入N220slm；采用化学气相沉积法进行反应：升高腔内温度至生长温度，先后通入H2S气源，Mo(CO)6进行恒温生长，降温至室温，取出样品，得到所述生长在Sapphire衬底上的MoS2二维材料。所述方法可有效控制MoS2形核密度，均匀性，以及晶粒取向，且具有可行性高的优点。
摘要（英）：

The invention discloses a preparation method of a MoS2 two-dimensional material growing on a Sappire substrate. The method comprises the following steps: 1, preparing the substrate: adopting the Sappire substrate without any pretreatment; 2, preparing a raw material: conveying the Saphire substrate to a quartz table in an MOCVD cavity, controlling the pressure in the cavity to be 20 Torr, and introducing N220 slm into the cavity all the time; and 3, reacting by a chemical vapor deposition technology: raising the temperature in the cavity to the growth temperature, sequentially introducing a H2S gas source and Mo(CO)6, carrying out constant-temperature growth, reducing the temperature to the room temperature, and taking out the obtained sample to obtain the MoS2 two-dimensional material growing on the Saphire substrate. The method has the advantages of effectiveness in control of the nucleation density, uniformity and grain orientation of MoS2, and high feasibility.

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