功率放大器、雷达系统以及信号放大方法

    公开(公告)号:CN119519626A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411520674.4

    申请日:2024-10-29

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供一种功率放大器、雷达系统以及信号放大方法,其中功率放大器包括:N个砷化镓放大模块、氮化镓放大模块以及电源管理模块;各砷化镓放大模块将射频输入信号的功率逐级放大并作为级间放大信号输出;氮化镓放大模块将级间放大信号的功率放大并作为射频输出信号输出;电源管理模块用于提供工作电压、栅极偏置电压、漏极控制电压。本发明内置了电源管理模块,不仅为不同的功率放大器进行供电以及上电顺序控制,并为氮化镓功率放大器提供负电保护及漏极调制的功能,进而保证了低损耗、高增益、高电源附加效率、稳定性强的功率放大器实现。

    微系统模组芯片嵌入式封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN113880041B

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202010636745.2

    申请日:2020-07-03

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供一种微系统模组芯片嵌入式封装结构及封装方法,通过自上往下进行重新布线工艺的待封装芯片周围的光刻胶重新定形的方法,先在临时承载基底上制作重新布线结构,再将待封装芯片有芯片焊盘的一面与再布线结构上的电互连焊盘进行回流,之后再用厚膜光刻胶对待封装芯片的外层进行重新定形,最后将带有再布线结构的重新定形的待封装芯片扣到半导体基底的凹槽内,大大的减小了内埋芯片后硅空腔周边的剩余宽度,进而消除了悬空走线结构提高了模组整体的可靠性;避免了走线与芯片上的互连PAD偏离引起电互连失效,待封装芯片表面一次又一次承受强度较大的工艺及待封装芯片上表面的结构受到损坏等。

    一种数字同步系统
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119070967A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202411201250.1

    申请日:2024-08-29

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本申请提供一种数字同步系统,本申请可以真正做到一个数字同步信号SYSREF,实现自动模式下匹配JESD204B的建链情况,在其断链时不断发出同步信号进行射频芯片与FPGA或基带数据芯片同步。实现手动模式下根据使能高低电平情况选择是否发生数字同步信号SYSREF。最后,该数字同步信号SYSREF满足了全相位可控,可以灵活适应不同使用场景。在正常使用中,可以使得多芯片、多设备间同步变得比较简单,不需要额外的时钟芯片发数字同步信号,同时由射频收发芯片内部自定义生成的数字同步信号SYSREF,与芯片处于同一时钟域,不需要额外的硬件资源进行跨时钟域同步,也有更好的时序表现。

    低噪声放大器、射频器件以及低噪声放大方法

    公开(公告)号:CN118659746A

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202411147966.8

    申请日:2024-08-21

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供一种低噪声放大器、射频器件以及低噪声放大方法,其中低噪声放大器包括:输入匹配模块、输出匹配模块、第一放大模块、n个第二放大模块及m个电流复用模块;输入匹配模块对射频输入信号阻抗匹配;第一放大模块与各第二放大模块级联并对信号逐级放大;各第二放大模块均包括晶体管,晶体管的第一端作为输入端,第二端作为输出端;输出匹配模块对多级放大后的信号阻抗匹配;m个电流复用模块分别与n个第二放大模块中的m个对应设置,采集相应晶体管第三端的复用电流信号并输出至第一放大模块。本发明通过电流复用模块,将至少一个第二放大模块的复用电流信号采集并汇入第一放大模块的输出端,以提高第一放大模块的射频回路的电流密度。

    低噪声放大器及无线通信系统

    公开(公告)号:CN118074632B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410466648.1

    申请日:2024-04-18

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供一种低噪声放大器及无线通信系统,低噪声放大器包括晶体管、第一电容、第二电容、变压器负反馈模块、电阻负反馈模块及漏极偏置模块;晶体管的栅极连接栅极电压,源极连接参考地,漏极通过漏极偏置模块连接漏极供电端口;变压器负反馈模块通过第一电容及第二电容分别连接晶体管的栅极及漏极,用于在晶体管的栅、漏间形成第一负反馈环路;电阻负反馈模块连接于晶体管的栅极及漏极之间,用于在晶体管的栅、漏间形成第二负反馈环路;其中,通过第一负反馈环路及第二负反馈环路的配合,降低低噪声放大器的低频增益以提高阻塞容限。通过本发明解决了现有低噪声放大器因低阻塞容限易达到输出功率临界状态,出现噪声、增益及线性度恶化的问题。

    高带宽放大器及电子电路

    公开(公告)号:CN118249753A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410667089.0

    申请日:2024-05-28

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供一种高带宽放大器及电子电路,其中高带宽放大器包括放大器模块及低功耗反馈模块,放大器模块的正相输入端连接输入电压信号,负相输入端连接低功耗反馈模块的输出端,输出端连接低功耗反馈模块的输入端;放大器模块与低功耗反馈模块配合来对输入电压信号进行线性放大生成输出电压信号,其中,低功耗反馈模块提供包括一个零点和一个极点的传递函数并通过引入零点来对极点进行补偿。通过本发明提供的高带宽放大器及电子电路,解决了现有放大器存在功耗及稳定性难以兼顾的问题。

    一种互联走线中的匹配结构
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118215195A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202211573970.1

    申请日:2022-12-08

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供一种互联走线中的匹配结构,结构包括:介质层、导电层、接地线和信号线,导电层中设置至少4层接地层和1层走线层,4层接地层包括顶层导电层、底层导电层和2层避让导电层,走线层中设置带状线,避让导电层和走线层中设置使带状线、信号线均与其同层的导电层隔开的避让空间,走线层相邻的一个避让导电层设置匹配结构,使匹配结构所在的避让导电层上的位于带状线两侧的避让空间之间形成导电连接。本发明通过在带状线导电结构下方设置接地的导电的匹配结构,在保证传输匹配效果的条件下,大大降低了实现特性阻抗匹配对工艺的尺寸要求,同时降低了互联走线中匹配结构的加工难度,提高了生产效率。

    超宽带射频功率放大器、射频芯片及电子设备

    公开(公告)号:CN117767891A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202410187668.5

    申请日:2024-02-20

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供一种超宽带射频功率放大器、射频芯片及电子设备,包括:输入匹配稳定模块、放大模块以及负反馈模块;输入匹配稳定模块接收射频输入信号,用于对所述射频输入信号以及所述放大模块的输入端进行阻抗匹配并同时稳定拓宽所述超宽带射频功率放大器的工作带宽;放大模块的第一端连接输入匹配稳定模块的输出端,第二端输出放大后的射频信号;负反馈模块与放大模块并联,用于反馈放大模块的输出信号至放大模块的输入端,减少所述放大模块的输出回波损耗数值。本发明用以解决现有技术中宽带射频前端芯片存在着工作带宽难以拓宽、信号功率等级不足、稳定性不足以及输入/输出回波损耗不足等问题。

    基于口面场的相控阵自动校准方法、介质及电子设备

    公开(公告)号:CN117155488A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311125044.2

    申请日:2023-09-01

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本申请提供一种基于口面场的相控阵自动校准方法、介质及电子设备。所述校准方法包括:获取配置信息,所述配置信息包括所述相控阵中频点的目标幅度、目标相位和所述相控阵子阵的通道坐标,所述子阵的各通道包括若干所述频点;获取所述频点的第一待校准幅度和第一待校准相位,所述第一待校准幅度和所述第一待校准相位与所述子阵通道坐标相关;基于预设的衰减步进、所述第一待校准幅度、所述目标幅度、预设的移相步进、所述第一待校准相位和所述目标相位获取所述频点的移相码和衰减码。所述校准方法能够实现对所述相控阵中频点的幅度和相位进行自动校准,从而提高频点的幅度和相位的校准效率,提高在相控阵的校准场景中的应用性。

    一种低相噪多核压控振荡器版图结构及振荡器结构

    公开(公告)号:CN116614089B

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310897037.8

    申请日:2023-07-21

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 郁发新 刘家瑞

    Abstract: 本发明提供一种低相噪多核压控振荡器版图结构及振荡器结构,包括:每一压控振荡器区域均与相邻的压控振荡器区域平行,每一所述压控振荡器区域包括两个参数一致的压控振荡器;各压控振荡器区域的上端中心点及下端中心点与供电轨线的连接线均与对应的供电轨线垂直,或者每一路供电轨线的几何中心点均与压控振荡器区域几何中心点重合。通过设置压控振荡器区域使每对压控振荡器的谐振频率偏离较远,避免各压控振荡器对之间相互磁耦而引起品质因数下降,甚至导致压控振荡器难以起振,极大地提高了压控振荡器的可靠性。考虑了供电轨线到压控振荡器的耦合影响,避免由供电耦合引入的杂散或振荡模糊,最大限度地实现了压控振荡器的低相噪性能。

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