SiC外延晶片及其制造方法

发明授权

摘要：

本发明的SiC外延晶片具备4H‑SiC单晶基板和形成于所述4H‑SiC单晶基板上的SiC外延层，所述4H‑SiC单晶基板以相对于c面具有偏离角的面为主面，且在周缘部具有斜角部，所述SiC外延层的膜厚为20μm以上，所述SiC外延层的从外周端延伸存在的界面位错的密度为10根/cm以下。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205	.....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积