成型加工用包装材料、包装壳体及蓄电装置

    公开(公告)号:CN221794043U

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202322847885.6

    申请日:2023-10-23

    Inventor: 川北圭太郎

    Abstract: 本实用新型涉及成型加工用包装材料、包装壳体及蓄电装置。成型加工用包装材料(1A)具备金属箔层(2)、配置于金属箔层(2)的外表面侧的耐热性树脂层(3)、和配置于金属箔层(2)的内表面侧的热熔接性树脂层(4),同时,在金属箔层(2)与耐热性树脂层(3)之间设置有外侧粘接剂层(5),并且在金属箔层(2)与热熔接性树脂层(4)之间设置有内侧粘接剂层(6R)。内侧粘接剂层(6R)含有内侧增强剂。作为内侧增强剂,使用了满足以下的要件1及2的内侧增强粒子。要件1:内侧增强粒子的个数平均粒径在0.01μm~3μm的范围内。要件2:内侧增强粒子的比表面积为1m2/g以上。

    包装体
    2.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221970230U

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202322610675.5

    申请日:2023-09-26

    Inventor: 田中优树

    Abstract: 本实用新型涉及包装体。课题是提供能防止输送时盖材从凸缘部剥离、且能防止制造装置维护作业频率增加的包装体。解决手段为包装体由容器和被热密封于容器凸缘部的盖材形成。在比凸缘部外周缘更靠内侧的部分,形成有构成容器侧热密封层的热熔接性树脂与构成盖材侧热密封层的热熔接性树脂熔接而成的正式密封部。以从正式密封部至凸缘部外周缘的方式在凸缘部周向的一部分形成有开封开始密封部。在除开封开始密封部外的部分中的正式密封部与凸缘部的外周缘之间的部分形成有环状近似密封部,其是使构成容器侧热密封层的热熔接性树脂与构成盖材侧热密封层的热熔接性树脂以具有边界的方式密合而形成的。

    冷却装置
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220086029U

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202222543868.9

    申请日:2022-09-26

    Abstract: 本实用新型提供容易进行具备多个冷却器的冷却装置的制造的冷却装置。所述冷却装置层叠有多个冷却器,该冷却器具有能够使制冷剂在内部流通的冷却器主体和与冷却器主体接合的连结构件,多个冷却器中的第1冷却器的连结构件即第1连结构件与第2冷却器的连结构件即第2连结构件被接合并且所述冷却装置对配置于第1冷却器与第2冷却器之间的被冷却构件进行冷却,第1连结构件与第2连结构件通过沿与层叠方向交叉的方向被照射激光而接合。

    成型容器及包装体
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN219884341U

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202223501386.3

    申请日:2022-12-27

    Inventor: 苗村正

    Abstract: 本实用新型涉及成型容器及包装体。通过对层压包装材料(1)进行压制加工而形成的杯状的成型容器(2),层压包装材料具备阻隔层(13)、保护层(16)和密封层(11),保护层由流动方向(MD)和宽度方向(TD)的拉伸强度(δ1(MD))及(δ1(TD))均为500MPa~2500MPa并且它们之比(δ1(MD)/δ1(TD))为0.9~1.1的合成树脂膜形成、并且覆盖阻隔层的一面,密封层覆盖阻隔层的另一面。在保护层的至少阻隔层侧的面预先利用印刷油墨印刷有识别标识(15)。该成型容器的成型性良好,并且显示于成型容器的识别标识的尺寸稳定性良好。

    SiC外延晶片
    9.
    发明公开
    SiC外延晶片 审中-实审

    公开(公告)号:CN119967884A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202411574588.1

    申请日:2024-11-06

    Abstract: 本发明的目的在于提供大口径、三角缺陷密度少、载流子浓度的均匀性高的SiC外延晶片,本发明涉及的SiC外延晶片具有SiC基板和SiC外延层。所述SiC基板的直径为195mm以上。所述SiC外延层的三角缺陷的密度为0.2个/cm2以下,载流子浓度的偏差为20%以下。

    SiC外延晶片
    10.
    发明公开
    SiC外延晶片 审中-实审

    公开(公告)号:CN119967883A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202411574504.4

    申请日:2024-11-06

    Abstract: 本发明的目的在于提供大口径、板厚薄、载流子浓度的均匀性高的SiC外延晶片,本发明涉及的SiC外延晶片具有SiC基板和SiC外延层。所述SiC基板的直径为195mm以上,板厚为460μm以下。所述SiC外延层的载流子浓度的偏差为20%以下。

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