摘要：
本发明公开一种三元金属原子晶体氢化制备二维材料的方法，将Ga粉、Ge粉和Li片封装于真空石英管中，于充满氩气的真空管式炉中退火得到LiGaGe晶体前驱体，取出前驱体置于管式炉中暴露在H2环境中，再次退火得到二维材料前驱体LiGaGeH，用四氟胶带反复撕粘，即可得到二维材料2D‑LiGaGeH。其体相材料具有0.06eV光学带隙，随材料层数的逐渐减少，带隙逐渐增大，在光电器件、光催化等方面具有较大应用前景。
公开/授权文献
- CN110713172A 一种三元金属原子晶体氢化制备二维材料的方法 公开/授权日：2020-01-21
