一种功能化掺杂碳点在锂电池固态电解质中的应用

    公开(公告)号:CN117650271A

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202310109329.0

    申请日:2023-02-14

    申请人: 天津大学

    发明人: 封伟 赵一民 李瑀

    摘要: 本发明提出了一种简便且易于规模化生产的方法合成功能化掺杂碳点,并将其作为填料改性锂电池固态电解质体系。包括功能化掺杂碳点的制备,和基于功能化掺杂碳点改性的复合固态电解质的制备;其中,所述功能化掺杂碳点以柠檬酸碳化后构筑骨架结构,同时在其表面引入含掺杂原子(氮、硫、硼、磷)的有机官能团,所述功能化掺杂碳点在复合固态电解质中的质量分数为0.5‑5.0wt%。在电化学反应过程中,丰富的掺杂官能团提供了许多路易斯酸位点,有效地促进了锂盐的解离和阴离子的吸附,实现了离子电导率提升;同时诱导锂均匀沉积,抑制了枝晶生长引发的电池短路行为。

    一种超低温偶氮光热相变储能材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117551427A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202410046825.0

    申请日:2024-01-12

    申请人: 天津大学

    发明人: 冯奕钰 葛婧 封伟

    IPC分类号: C09K5/06 C07C245/08

    摘要: 本申请公开了一种超低温偶氮光热相变储能材料及其制备方法和应用,涉及光热相变材料技术领域,其中方法包括:使碳酸钾分散于N,N‑二甲基甲酰胺中形成分散液;向所述分散液中加入4‑羟基偶氮苯和1‑溴代烷烃进行反应之后,收集超低温偶氮光热相变储能材料。本申请实施例提供的制备方法该制备方法得到的超低温偶氮光热相变储能材料可以通过烷烃取代基的长度调控分子间的相互作用,改变空间构型、分子能级和结晶能力,从而实现在不同温度环境下异构化能和相变焓的可控释放。

    一种聚合物基智能导热复合材料制备技术

    公开(公告)号:CN116751379A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310694367.7

    申请日:2023-06-13

    申请人: 天津大学

    发明人: 俞慧涛 孙湛 封伟

    摘要: 本发明公开了一种聚合物基智能导热复合材料制备技术,基于力‑热耦合设计思想,以聚合物为基体,以褶皱石墨烯为导热填料,采用真空物理浸渍法制备了高回弹、高导热、强界面黏附性的聚合物智能导热复合材料。复合材料在不同光照、高温、压力等复杂环境下可通过压力回弹、界面附着等变化实现精确温度感知、自动调节的新型智能导热复合材料。该智能导热复合材料可以利用其对热量的感知功能,达到高控制精度和快响速度传热的目的。材料的设计和应用,实现了智能感知与黏性、回弹性、高导热的完美结合,预期可用于人体、人工智能、电子信息等智能热管理领域,具有潜在的经济效益。

    一种三元金属原子晶体氢化制备二维材料的方法

    公开(公告)号:CN110713172B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN201810765217.X

    申请日:2018-07-12

    申请人: 天津大学

    IPC分类号: C01B6/24

    摘要: 本发明公开一种三元金属原子晶体氢化制备二维材料的方法,将Ga粉、Ge粉和Li片封装于真空石英管中,于充满氩气的真空管式炉中退火得到LiGaGe晶体前驱体,取出前驱体置于管式炉中暴露在H2环境中,再次退火得到二维材料前驱体LiGaGeH,用四氟胶带反复撕粘,即可得到二维材料2D‑LiGaGeH。其体相材料具有0.06eV光学带隙,随材料层数的逐渐减少,带隙逐渐增大,在光电器件、光催化等方面具有较大应用前景。

    一种二维层状碲掺杂锗烷及制备方法

    公开(公告)号:CN112429703B

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN201910792265.2

    申请日:2019-08-26

    申请人: 天津大学

    IPC分类号: C01B6/06

    摘要: 本发明公开一种二维层状碲掺杂锗烷及制备方法,将Ca、GeTe、Ge按化学计量比封装在在管式炉中进行程序控温得到CaGe2‑2xTe2x(x=0.01‑0.05)前驱体,将得到的前驱体与盐酸在低温下进行反应,即可得到二维层状的半导体材料碲掺杂锗烷HGe1‑xTex(x=0.01‑0.05)。这种二维材料在光电器件、储能、光催化等方面具有较大的潜在应用。

    一种高电压钴酸锂及其制备方法以及应用

    公开(公告)号:CN115249802A

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN202211049440.7

    申请日:2022-08-30

    申请人: 天津大学

    摘要: 本发明提供了一种高电压钴酸锂的制备方法,包括以下步骤:A)将碳酸锂和四氧化三钴混合球磨后进行第一次热处理,接着粉碎后再进行第二次热处理,粉碎后,得到钴酸锂粉末;B)将钴酸锂粉末、铝源化合物、氢氧化锂、柠檬酸铵晶体和去离子水混合搅拌,并调节pH值,得到悬浊液;C)将所述悬浊液加热干燥后进行热处理,得到高电压钴酸锂。本发明通过选择最佳的掺杂元素/包覆物质和工艺方法对钴酸锂粉末进行改性处理,既抑制了其晶体内部层间滑移引起的相变,又在其表面构建了一层连续的、外延生长的保护层,有效抑制了钴酸锂正极在高电压充电状态下剧烈的表面副反应。从而实现了4.6V型高电压钴酸锂的稳定循环,且可扩大化生产。

    一种玉米淀粉热解硬碳电极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110877908B

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN201811037481.8

    申请日:2018-09-06

    申请人: 天津大学

    摘要: 本发明公开了一种玉米淀粉热解硬碳电极材料的制备方法,包括以下步骤:步骤1,干燥,玉米淀粉干燥去除水分;步骤2,碳化,将步骤1完成得到的玉米淀粉在惰性气体保护下高温碳化,完成后降温至室温得到碳化材料;步骤3,打孔,将步骤2得到的所述碳化材料与KOH混合均匀,置于700~800摄氏度,惰性气体保护下处理,冷却至室温,得到玉米淀粉热解硬碳电极材料。本发明所用的原材料来源广泛、价格便宜,且制备过程简单,适宜量产。得到的最终产品与玉米淀粉的颗粒状相比,直径减小,表面更为光滑。这种特殊的球状多微孔结构为锂离子的嵌入脱出创造了大量活性位点,所得电池可逆容量为500mAhg‑1,首圈库伦效率为73.1%。

    一种氧化铟钙纳米片材料及制备方法

    公开(公告)号:CN112678863B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN201910990666.9

    申请日:2019-10-18

    申请人: 天津大学

    IPC分类号: C01G15/00 B82Y30/00 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开一种氧化铟钙纳米片材料及制备方法,将Ca、In、P按化学计量比封装在在管式炉中进行程序控温得到前驱体,将得到的前驱体与水在低于室温下进行反应,即可得到氧化铟钙纳米片。本发明的方法步骤简单,材料产量大,具有纳米片结构,且组成不同于已知结构,在光电器件、光催化、储能等方面具有较大的潜在应用。