本发明公开了Ti‑Ga‑Sb相变材料、相变存储器及Ti‑Ga‑Sb相变材料的制备方法，属于相变存储材料领域，所述Ti‑Ga‑Sb相变材料为Ti，Sb，Ga元素组成的化学通式为TixGaySb100‑x‑y的材料，其通过将Sb作为基体材料，并向基体材料中掺杂Ti、Ga后得到；其中，x，y分别为原子个数百分比，且0＜x＜50，0＜y＜50，0＜x+y＜60。本发明的Ti‑Ga‑Sb相变材料，其制备方法简便，制备得到的Ti‑Ga‑Sb相变材料相较于传统的相变材料而言，具有较小的相变密度差异，并能在保证相变材料热稳定性的同时大幅提升相变材料的结晶效率，保证相变材料信息数据存储的稳定性和准确性，提升相变存储器信息存储的效率，在延长相变存储器使用寿命的同时，大大提升了相变存储器的功能性。