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发明授权
CN110783456B 基于单层修饰MXene的电存储材料及其制备方法与在制备电存储器件中的应用 有权

  • 专利标题： 基于单层修饰MXene的电存储材料及其制备方法与在制备电存储器件中的应用
  • 申请号： CN201910955506.0
    申请日： 2019-10-09
  • 公开(公告)号： CN110783456B
    公开(公告)日： 2023-05-02
  • 发明人: 路建美 , 贺竞辉
  • 申请人： 苏州大学
  • 申请人地址： 江苏省苏州市相城区济学路8号
  • 专利权人： 苏州大学
  • 当前专利权人： 苏州大学
  • 当前专利权人地址： 江苏省苏州市相城区济学路8号
  • 代理机构： 苏州创元专利商标事务所有限公司
  • 代理商 孙周强; 陶海锋
  • 主分类号： H10N70/20
  • IPC分类号： H10N70/20
基于单层修饰MXene的电存储材料及其制备方法与在制备电存储器件中的应用
摘要：
本发明公开了基于单层修饰MXene的电存储材料及其制备方法与在制备电存储器件中的应用。将烷基膦酸与MXene混合后离心处理，得到单层修饰MXene；将单层修饰MXene制备成膜，得到基于单层修饰MXene的电存储材料。与传统的器件相比，本发明中烷基膦酸修饰的单层MXene薄膜电存储器件的开启电压低，且不同阻态得到了很好区分。
公开/授权文献
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