Invention Publication
CN1108804A 半导体器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体器件及其制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and method of manufacturing the same
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Application No.: CN94109084.1Application Date: 1994-08-10
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Publication No.: CN1108804APublication Date: 1995-09-20
- Inventor: 船田文明 , 森田达夫 , 田仲广久 , 张宏勇 , 高山徹
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所,夏普公司
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所,夏普公司
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 萧掬昌; 马铁良
- Priority: 218156/93 1993.08.10 JP
- Main IPC: H01L21/00
- IPC: H01L21/00
Abstract:
一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同，从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。
Public/Granted literature
- CN1054942C 半导体器件及其制造方法 Public/Granted day:2000-07-26
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IPC分类:
