发明授权
- 专利标题： 具有相等栅极堆叠厚度的垂直传输晶体管
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申请号： CN201880026997.4申请日： 2018-04-13
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公开(公告)号： CN110892513B公开(公告)日： 2023-08-18
- 发明人: 鲍如强 , 李忠贤 , 徐铮 , 毕振兴
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约阿芒克
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约阿芒克
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 马明月
- 国际申请： PCT/IB2018/052586 2018.04.13
- 国际公布： WO2018/203162 EN 2018.11.08
- 进入国家日期： 2019-10-23
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336
摘要：
半导体器件及其形成方法包括在第一类型区域和第二类型区域中的底部源极/漏极层上形成垂直半导体沟道。栅极介电层形成在垂直半导体沟道的侧壁上。在第一类型区域中形成第一类功函数层。在第一类型区域和第二类型区域中形成第二类功函数层。在第二类型区域中形成厚度匹配层，使得第一类型区域中的层堆叠具有与第二类型区域中的层堆叠相同的厚度。顶部源极/漏极区域形成在垂直沟道的顶部部分上。
公开/授权文献
- CN110892513A 具有相等栅极堆叠厚度的垂直传输晶体管 公开/授权日：2020-03-17
IPC分类:
