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公开(公告)号：CN110892513B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201880026997.4
申请日：2018-04-13
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 半导体器件及其形成方法包括在第一类型区域和第二类型区域中的底部源极/漏极层上形成垂直半导体沟道。栅极介电层形成在垂直半导体沟道的侧壁上。在第一类型区域中形成第一类功函数层。在第一类型区域和第二类型区域中形成第二类功函数层。在第二类型区域中形成厚度匹配层，使得第一类型区域中的层堆叠具有与第二类型区域中的层堆叠相同的厚度。顶部源极/漏极区域形成在垂直沟道的顶部部分上。
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公开(公告)号：CN105556623B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201480049687.6
申请日：2014-09-19
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01F27/362 , H01F17/0013 , H01F27/2804 , H01F27/2871 , H01F27/289 , H01F41/041 , H01F2017/008 , H01F2027/2809 , H01L23/60 , H01L23/645 , H01L2924/0002 , Y10T29/4902 , H01L2924/00
摘要： 在半导体结构内形成的可重构多层叠电感器可以包括位于半导体结构的第一金属层内的第一电感器结构、位于第一金属层内与第一电感器结构电隔离并且在周向界定第一电感器结构的第一接地屏蔽结构、以及位于半导体结构的第二金属层内的第二电感器结构，由此第二电感器结构被电耦合到第一电感器结构。位于第二金属层内的第二接地屏蔽结构与第二电感器结构电隔离并且在周向界定第二电感器结构，由此第一和第二电感器基于第一接地屏蔽结构和第二接地屏蔽结构被耦合到地而产生第一电感值，并且第一和第二电感器基于第一接地屏蔽结构和第二接地屏蔽结构电浮动而产生第二电感值。
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公开(公告)号：CN105556623A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480049687.6
申请日：2014-09-19
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01F27/362 , H01F17/0013 , H01F27/2804 , H01F27/2871 , H01F27/289 , H01F41/041 , H01F2017/008 , H01F2027/2809 , H01L23/60 , H01L23/645 , H01L2924/0002 , Y10T29/4902 , H01L2924/00
摘要： 在半导体结构内形成的可重构多层叠电感器可以包括位于半导体结构的第一金属层内的第一电感器结构、位于第一金属层内与第一电感器结构电隔离并且在周向界定第一电感器结构的第一接地屏蔽结构、以及位于半导体结构的第二金属层内的第二电感器结构，由此第二电感器结构被电耦合到第一电感器结构。位于第二金属层内的第二接地屏蔽结构与第二电感器结构电隔离并且在周向界定第二电感器结构，由此第一和第二电感器基于第一接地屏蔽结构和第二接地屏蔽结构被耦合到地而产生第一电感值，并且第一和第二电感器基于第一接地屏蔽结构和第二接地屏蔽结构电浮动而产生第二电感值。
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公开(公告)号：CN110892513A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880026997.4
申请日：2018-04-13
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 半导体器件及其形成方法包括在第一类型区域和第二类型区域中的底部源极/漏极层上形成垂直半导体沟道。栅极介电层形成在垂直半导体沟道的侧壁上。在第一类型区域中形成第一类功函数层。在第一类型区域和第二类型区域中形成第二类功函数层。在第二类型区域中形成厚度匹配层，使得第一类型区域中的层堆叠具有与第二类型区域中的层堆叠相同的厚度。顶部源极/漏极区域形成在垂直沟道的顶部部分上。
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