发明授权
- 专利标题： 屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法
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申请号： CN201911243513.4申请日： 2019-12-06
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公开(公告)号： CN110896053B公开(公告)日： 2022-04-29
- 发明人: 宋金星
- 申请人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
- 专利权人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 曹廷廷
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/528 ; H01L29/423
摘要：
本发明提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法。其中，在制备屏蔽电极时，使得位于元胞区中的第一屏蔽电极和位于源极连接区中的第二屏蔽电极的高度均降低，从而在制备隔离层时，即可以利用隔离层的保护，而避免第一介质层中包覆第二屏蔽电极的部分横向暴露出，进而可以防止第一介质层中包覆第二屏蔽电极的部分被侧向侵蚀的问题，如此一来，即可以有效解决源极连接区中的第二屏蔽电极与栅电极出现短接的现象。
公开/授权文献
- CN110896053A 屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法 公开/授权日：2020-03-20
IPC分类:
