提供了用于形成三维(3D)存储器件的结构和方法的实施例。在一个示例中，3D存储器件包括存储堆叠层、多个沟道结构、缝隙结构和源极结构。所述存储堆叠层可以是位于衬底上的，并且可以包括在横向上在所述存储堆叠层中延伸的交织的多个导体层和多个绝缘层。所述多个沟道结构可以在纵向上贯穿所述存储堆叠层延伸到所述衬底中。所述缝隙结构可以在纵向和横向上在所述存储堆叠层中延伸，并且将所述多个存储单元划分成至少一个存储块。所述缝隙结构可以包括沿所述缝隙结构的侧壁在纵向上布置的多个凸出部分和多个凹陷部分。