发明授权
- 专利标题： 半导体设备和电子装置
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申请号： CN201880047019.8申请日： 2018-07-13
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公开(公告)号： CN110915197B公开(公告)日： 2022-06-10
- 发明人: 宫本宗 , 秋山义行 , 角田纯一 , 児岛秀一
- 申请人： 索尼半导体解决方案公司
- 申请人地址： 日本神奈川
- 专利权人： 索尼半导体解决方案公司
- 当前专利权人： 索尼半导体解决方案公司
- 当前专利权人地址： 日本神奈川
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 吴孟秋
- 优先权： 2017-145364 20170727 JP
- 国际申请： PCT/JP2018/026427 2018.07.13
- 国际公布： WO2019/021852 JA 2019.01.31
- 进入国家日期： 2020-01-14
- 主分类号： H04N5/357
- IPC分类号： H04N5/357 ; H01L21/3205 ; H01L21/768 ; H01L21/822 ; H01L23/522 ; H01L27/04 ; H01L27/146 ; H04N5/369
摘要：
本技术涉及一种半导体设备和一种电子装置，由此可以抑制信号中噪声的产生。该半导体设备具有：第一半导体基板，其中，形成第一导体回路的至少一部分；以及第二半导体基板，其包括第一导体层和第二导体层，每个导体层具有导体，所述第一导体层和第二导体层形成第二导体回路。第一导体层和第二导体层被配置为使得从第二导体回路产生磁通量的回路平面的方向和第一导体回路产生电动势的回路平面的方向彼此不同。本技术可以应用于例如CMOS图像传感器。
公开/授权文献
- CN110915197A 半导体设备和电子装置 公开/授权日：2020-03-24
