发明公开
CN110931547A 一种HEMT器件及其制备方法
无效 - 驳回
- 专利标题： 一种HEMT器件及其制备方法
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申请号： CN201911018210.2申请日： 2019-10-24
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公开(公告)号： CN110931547A公开(公告)日： 2020-03-27
- 发明人: 刘新科 , 邓煊华 , 利键 , 陈勇 , 王佳乐 , 胡聪 , 贺威
- 申请人： 深圳大学
- 申请人地址： 广东省深圳市南山区南海大道3688号
- 专利权人： 深圳大学
- 当前专利权人： 深圳大学
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市南山区南海大道3688号
- 代理机构： 深圳市恒申知识产权事务所
- 代理商 鲍竹
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/778 ; H01L21/335
摘要：
本发明的目的是提供一种HEMT器件及其制备方法，与现有技术相比，本发明的HEMT器件具备高电阻率、高电子迁移率，通过氧离子注入形成高阻氮化镓和Al2O3。比传统器件具有良好的电流密度和低泄漏电流，更高的器件击穿电压，具有良好导热性使器件能在较高温条件下工作。而且通过自支撑衬底材料，解决了现有的外延层晶格失配大，缺陷密度大的问题，改善了界面性能，进一步的提升了HEMT器件的性能、良品率。
IPC分类:
