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公开(公告)号：CN108922890B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201810750082.X
申请日：2018-07-10
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H01L27/095 , H01L21/8258
摘要： 本发明公开了一种半导体和二维材料的组合功率器件及其制备方法，该器件包括异质结场效应晶体管和二维材料晶体管，其两者具有同一衬底，其中衬底上设置有二维材料层以及依次设置于衬底的GaN层、AlGaN层，AlGaN层与二维材料层上的两端设置有欧姆接触电极，且在异于欧姆接触电极的位置设置有Al2O3薄膜，Al2O3薄膜上设置有肖特基接触电极。该组合功率器件的表面具有Al2O3薄膜，其具有厚度均匀性、无针孔、低缺陷密度、低应力等优势，这将有效降低器件的栅极泄露电流，同时该Al2O3薄膜具有高的介电常数及宽带隙，这将使组合功率器件拥有更高的击穿电压、更高的工作电流而具有更大的应用范围。
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公开(公告)号：CN110335908A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910535978.0
申请日：2019-06-20
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/18
摘要： 本发明实施例公开了一种异质结分波段探测器及其制备方法。所述异质结分波段探测器包括对可见光波段响应的第二半导体层，所述第二半导体层具有相对的两个表面，其一表面层叠结合有对紫外波段响应的第一半导体层，另一表面层叠结合有对红外波段响应的第三半导体层，且所述第三半导体层和第二半导体层的长度相对所述第一半导体层的长度依次递减；在所述第一半导体层的一端部表面上设有欧姆接触的第一电极，另一端部表面上设有欧姆接触的第二电极，所述第二半导体层和第三半导体层上分别设有欧姆接触的电极。所述异质结分波段探测器能够同时实现对不同波段的光谱分段吸收探测，而且能够保证探测的灵敏性。
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公开(公告)号：CN110335908B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910535978.0
申请日：2019-06-20
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/18
摘要： 本发明实施例公开了一种异质结分波段探测器及其制备方法。所述异质结分波段探测器包括对可见光波段响应的第二半导体层，所述第二半导体层具有相对的两个表面，其一表面层叠结合有对紫外波段响应的第一半导体层，另一表面层叠结合有对红外波段响应的第三半导体层，且所述第三半导体层和第二半导体层的长度相对所述第一半导体层的长度依次递减；在所述第一半导体层的一端部表面上设有欧姆接触的第一电极，另一端部表面上设有欧姆接触的第二电极，所述第二半导体层和第三半导体层上分别设有欧姆接触的电极。所述异质结分波段探测器能够同时实现对不同波段的光谱分段吸收探测，而且能够保证探测的灵敏性。
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公开(公告)号：CN110931547A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911018210.2
申请日：2019-10-24
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明的目的是提供一种HEMT器件及其制备方法，与现有技术相比，本发明的HEMT器件具备高电阻率、高电子迁移率，通过氧离子注入形成高阻氮化镓和Al2O3。比传统器件具有良好的电流密度和低泄漏电流，更高的器件击穿电压，具有良好导热性使器件能在较高温条件下工作。而且通过自支撑衬底材料，解决了现有的外延层晶格失配大，缺陷密度大的问题，改善了界面性能，进一步的提升了HEMT器件的性能、良品率。
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公开(公告)号：CN108962995A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810784214.0
申请日：2018-07-17
申请人： 深圳大学
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0619
摘要： 本发明公开了一种复合GaN基膜和MOSFET器件。其中，所述复合GaN基膜包括形成于衬底上的n型GaN层，沿所述衬底至n型GaN层的延伸方向，在所述n型GaN层表面上还依次形成有p型GaN层和n+型GaN层，其中，所述n+型GaN层是埋设在所述p型GaN层的表层中。所述MOSFET器件包括复合GaN基膜。所述复合GaN基膜能够赋予MOSFET器件更低能耗损失，更高的器件击穿电压和良好导热性以及高温性能稳定性。
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公开(公告)号：CN108878423B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810750083.4
申请日：2018-07-10
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H01L27/095 , H01L21/8258
摘要： 本发明公开了一种半导体和二维材料的组合功率器件及其制备方法，该组合功率器件包括设置在同一衬底上的异质结场效应晶体管和二维材料晶体管，其中衬底上设置有二维材料层以及依次设置于衬底的GaN层、AlGaN层，AlGaN层与二维材料层上的两端设置有欧姆接触电极、肖特基接触电极。该组合功率器件中的异质结场效应晶体管和二维材料晶体管设置于同一衬底上，即该组合功率器件不仅具有异质结场效应晶体管大击穿电场、高电子饱和速率、抗辐射能力强及良好的化学稳定性等特点，还具有二维材料晶体管的高能效、可运用于柔性屏，高分辨率液晶显示器和有机发光二极管显示器等领域的特点，因此本发明提供的组合功率器件具有更广的应用范围。
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公开(公告)号：CN110137259A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910287556.6
申请日：2019-04-11
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/40 , H01L21/336
摘要： 本发明的目的是提供一种MOSFET管及其制备方法。本发明提出的新型GaN器件结构将垂直沟槽结构与AlSiO氧化物结合在一起，以及将旋涂玻璃(SOG)作为场板电介质并制作接触孔巧妙的形成了场板结构，有效降低了氧化物的最大电场，实现更低能耗损失，更高的器件击穿电压，有效的降低了导通电阻，并具有良好导热性。
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公开(公告)号：CN109637924A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811539841.4
申请日：2018-12-17
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/02043 , H01L21/02178 , H01L21/02301 , H01L21/28264 , H01L29/42364 , H01L29/66462 , H01L29/778
摘要： 本发明提供了一种层结构复合材料及其制备方法，由于采用表面化学的方式进行了界面处理，提升了材料性能的同时避免了杂质引起的功能缺陷，具体的制备方法为：将抛光后的GaN衬底进行清洗处理；用酸清除氮化镓表面的原生氧化物；在原子层沉积仪中，以惰性气体为载气体，衬底温度为250‑350℃，用三甲基铝处理衬底其中一个表面；在原子层沉积仪中以惰性气体为载气体，利用铝源和氧源，衬底温度为250‑350℃，沉积氧化铝介质层；在氧化铝介质层镀上金属膜。
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公开(公告)号：CN109148565A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810825765.7
申请日：2018-07-25
申请人： 深圳大学
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/80
摘要： 本发明公开了一种结型场效应管及其制备方法，该方法包括：衬底、衬底上自下而上排布的n型缓冲层、n+型SiC通道层，且n+型SiC通道层表面的两端分别设置有P型源极接触层，且两端的P型源极接触层之间设置有n型再生长沟道层，该n型再生长沟道层的两端部分覆盖在相邻的P型源极接触层上，该P型源极接触层上设置有源极接触电极，n型再生长沟道层上设置有栅极欧姆接触电极，衬底的底面设置有漏级电极。相对于现有技术，在结型场效应管中使用SiC，使得结型场效应管具备导通电阻小、开关损耗小、击穿电压大、且高温稳定性好等优点。
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公开(公告)号：CN108922890A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810750082.X
申请日：2018-07-10
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H01L27/095 , H01L21/8258
摘要： 本发明公开了一种半导体和二维材料的组合功率器件及其制备方法，该器件包括异质结场效应晶体管和二维材料晶体管，其两者具有同一衬底，其中衬底上设置有二维材料层以及依次设置于衬底的GaN层、AlGaN层，AlGaN层与二维材料层上的两端设置有欧姆接触电极，且在异于欧姆接触电极的位置设置有Al2O3薄膜，Al2O3薄膜上设置有肖特基接触电极。该组合功率器件的表面具有Al2O3薄膜，其具有厚度均匀性、无针孔、低缺陷密度、低应力等优势，这将有效降低器件的栅极泄露电流，同时该Al2O3薄膜具有高的介电常数及宽带隙，这将使组合功率器件拥有更高的击穿电压、更高的工作电流而具有更大的应用范围。
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