- 专利标题: 一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法
-
申请号: CN201911154752.2申请日: 2019-11-22
-
公开(公告)号: CN110937893A公开(公告)日: 2020-03-31
- 发明人: 沈孟 , 姜胜林 , 张光祖
- 申请人: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学,深圳华中科技大学研究院
- 当前专利权人: 华中科技大学,深圳华中科技大学研究院
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 彭翠; 李智
- 主分类号: C04B35/475
- IPC分类号: C04B35/475 ; C04B35/622 ; C04B35/64 ; H01L35/34 ; H01L35/18 ; H01L35/22
摘要:
本发明属于热释电能量收集领域,更具体地,涉及一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法。本发明提供了一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法,其通过在热释电陶瓷材料中引入高热导率半导体材料,利用半导体材料的电荷补偿效应来调控自由电荷的传输从而提高复合陶瓷材料的热释电系数,同时半导体材料的高热导率提升了复合陶瓷的温度变化率,从而提高该复合陶瓷材料的能量密度,由此解决现有技术制备表面形状复杂的热释电陶瓷工艺复杂,成本高,难以与无源器件的应用需求相兼容等的技术问题。
公开/授权文献
- CN110937893B 一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法 公开/授权日:2020-11-24
IPC分类: