Invention Grant
- Patent Title: 一种硅基集成基于拓扑保护机理的光隔离器件
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Application No.: CN201911410056.3Application Date: 2019-12-31
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Publication No.: CN110941109BPublication Date: 2021-03-30
- Inventor: 毕磊 , 杨玉聪 , 秦俊 , 邓龙江
- Applicant: 电子科技大学
- Applicant Address: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- Assignee: 电子科技大学
- Current Assignee: 电子科技大学
- Current Assignee Address: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- Agency: 电子科技大学专利中心
- Agent 闫树平
- Main IPC: G02F1/09
- IPC: G02F1/09 ; G02B1/00

Abstract:
本发明属于集成光学领域,具体涉及一种硅基集成基于拓扑保护机理的光隔离器件。本发明通过调整线缺陷光子晶体模块和拓扑非平庸低群速度光子晶体模块的边界态,实现对低群速度边界态的激发和耦合调控。本发明采用具有低群速度的线缺陷光子晶体波导作为过渡耦合结构,以在降低耦合损耗的同时匹配群速度。本发明在光子晶体中传播的边界态具有较小的群速度,具有良好的局域性,从而大大降低器件尺寸,具有较小的损耗;可以较为便捷的获得TE偏振的隔离器;并且可以通过设计获得陡峭的弯折传输。本发明提供了光隔离器件的新机理;可以显著提高加工容差,具有良好的稳定性和可拓展性;可利用半导体工艺对该设计进行片上集成。
Public/Granted literature
- CN110941109A 一种硅基集成基于拓扑保护机理的光隔离器件 Public/Granted day:2020-03-31
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