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公开(公告)号：CN118259487A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410369597.0
申请日：2024-03-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于光通讯、信号处理、微纳光学技术领域，具体为一种基于电热调制的连续可调光分束超表面器件，包括热源部分和相变材料超表面。热源部分产生的能量沿着相变材料超表面传递，在温度达到动态平衡后，相变材料超表面呈现不同位置的温度维持在一个恒定的水平且温度值具有差异性特点，在此基础上，将相变材料区域划分为多个子区域，以使相变材料超表面温度分布从临近加热器区域向远离加热区域逐渐降低，临近加热器区域温度分布较高发生相变，远离加热器的区域温度分布较低且仍处于未相变状态。通过调整施加在加热器上的外加电压大小，来影响超表面的温度场分布，从而改变整个超表面中相变材料处于相变与未相变的比例，实现多档可调谐功能。
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公开(公告)号：CN118095389A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410214673.0
申请日：2024-02-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可调谐多任务衍射神经网络实现方法及任务器件，涉及光学神经网络、微纳光学、图像识别应用技术领域，本发明的衍射神经网络由多层相位型衍射元件构成，传播过程中通过对输入图像进行多次波前重构实现光学图像识别；在该衍射神经网络得基础上，将相变材料超表面引入衍射计算过程，结合低比特量化算法优化衍射元件调制参数，得到多任务衍射神经网络衍射元件相位分布，再搜索与相位匹配的超表面单元结构，制备相变材料超表面器件；制作的多任务衍射神经网络器件包括基于相变材料的可调超表面、掩膜版和探测器，通过改变相变材料结晶状态实现多任务切换，硬件设备有限亦可实现多元化的计算需求，提高了衍射神经网络的灵活性且优势巨大。
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公开(公告)号：CN116679362A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310470229.0
申请日：2023-04-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于光学技术领域，具体为一种相位补偿的大视场角超透镜及其设计方法，适用于焦平面阵列成像系统。本发明提供的超透镜针对焦平面阵列成像系统中特定的大角度锥形光场，采用相位补偿设计原理，通过引入一个凹型超透镜相位来补偿入射锥形光场的相位，从而将入射光场等效成平行光入射，再通过等效凸型超透镜将光场聚焦于焦平面阵列感光像元内；从而解决了微透镜对入射光收集角度小的问题，提升了焦平面阵列成像系统的探测效率，为现有微透镜阵列面临的视场角难题提供了有效解决办法。
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公开(公告)号：CN115786855A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211585099.7
申请日：2022-12-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于材料领域，具体为一种外延钇掺杂铪基铁电薄膜材料及其生长方法。本发明以STO为衬底、LSMO为缓冲层，通过改变YHO的生长工艺调控同一衬底上YHO的外延取向，分别得到纯正交相(002)的外延钇掺杂氧化铪铁电薄膜材料以及同时含正交相(111)和正交相(002)的双取向YHO铁电薄膜材料。本发明所提供钇掺杂氧化铪铁电薄膜材料，通过特定工艺对YHO铁电薄膜材料进行取向控制，解决了外延钇掺杂铪基铁电薄膜仅能单取向生长在特定衬底导致应用受限的问题，有利于进一步探索其生长机理以及提升相应铁电器件的发展应用。
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公开(公告)号：CN115561922A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211108748.4
申请日：2022-09-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子学领域，具体涉及一种基于片上电磁铁的氮化硅基磁光调制器。本发明通过在氮化硅磁光波导器件的磁光波导上制备金属导线和软磁材料薄膜，实现利用微弱的电流控制软磁材料薄膜的磁化方向，进而控制磁光波导磁化方向的效果，从而达到在氮化硅波导平台上以低功耗控制光强的效果。本发明对氮化硅波导平台低功耗的光调制功能实现具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112526776A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011523579.1
申请日：2020-12-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/095
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于氧化硅基平面光波导的磁光非互易器件。本发明采用氧化硅基平面光波导，利用氧化硅基平面光波导低折射率对比度的特点，并通过结合模斑耦合器设计端面波导尺寸，调节氧化硅基平面光波导的端面光斑尺寸，使其与入射模斑趋于一致，有效避免因较大耦合损耗导致的系统信噪比下降等问题。本发明大大降低了集成光学非互易器件与光纤的端面耦合损耗，有效避免了当前领域采用硅波导因较大的耦合损耗导致的系统信噪比下降等问题，并提供了进一步进行端面光纤封装，提高整体器件性能的更优的方案，对降低器件整体损耗，提高信噪比，降低集成光学系统的体积、重量、成本等具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110941109A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911410056.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种硅基集成基于拓扑保护机理的光隔离器件。本发明通过调整线缺陷光子晶体模块和拓扑非平庸低群速度光子晶体模块的边界态，实现对低群速度边界态的激发和耦合调控。本发明采用具有低群速度的线缺陷光子晶体波导作为过渡耦合结构，以在降低耦合损耗的同时匹配群速度。本发明在光子晶体中传播的边界态具有较小的群速度，具有良好的局域性，从而大大降低器件尺寸，具有较小的损耗；可以较为便捷的获得TE偏振的隔离器；并且可以通过设计获得陡峭的弯折传输。本发明提供了光隔离器件的新机理；可以显著提高加工容差，具有良好的稳定性和可拓展性；可利用半导体工艺对该设计进行片上集成。
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公开(公告)号：CN106841119A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611239414.5
申请日：2016-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/552
CPC classification number: G01N21/553
Abstract: 磁光等离子生物传感器，属于光学传感领域，特别涉及磁光表面等离子共振技术。本发明包括二氧化硅衬底和金层，在二氧化硅衬底上，在衬底和金层之间，至衬底至金层方向依次设置有：氮化钛层、二氧化硅层、钇铁石榴石层、掺铈钇铁石榴石层。本发明的有益效果是，结构新颖，品质因子高，材料稳定，不易氧化，结构简单，成本低。
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公开(公告)号：CN115786855B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202211585099.7
申请日：2022-12-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于材料领域，具体为一种外延钇掺杂铪基铁电薄膜材料及其生长方法。本发明以STO为衬底、LSMO为缓冲层，通过改变YHO的生长工艺调控同一衬底上YHO的外延取向，分别得到纯正交相(002)的外延钇掺杂氧化铪铁电薄膜材料以及同时含正交相(111)和正交相(002)的双取向YHO铁电薄膜材料。本发明所提供钇掺杂氧化铪铁电薄膜材料，通过特定工艺对YHO铁电薄膜材料进行取向控制，解决了外延钇掺杂铪基铁电薄膜仅能单取向生长在特定衬底导致应用受限的问题，有利于进一步探索其生长机理以及提升相应铁电器件的发展应用。
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