发明授权
- 专利标题: 一种改善半导体激光阵列光谱半宽的微通道热沉
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申请号: CN201911267011.5申请日: 2019-12-11
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公开(公告)号: CN110957632B公开(公告)日: 2021-09-03
- 发明人: 罗校迎 , 于振坤 , 郎超 , 冉维彬 , 耿琳 , 徐磊 , 陈晓华
- 申请人: 北京凯普林光电科技股份有限公司
- 申请人地址: 北京市丰台区航丰路甲4号5层
- 专利权人: 北京凯普林光电科技股份有限公司
- 当前专利权人: 北京凯普林光电科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区航丰路甲4号5层
- 代理机构: 北京市隆安律师事务所
- 代理商 权鲜枝; 杨博涛
- 主分类号: H01S5/024
- IPC分类号: H01S5/024
摘要:
本发明公开了一种改善半导体激光阵列光谱半宽的微通道热沉,该微通道热沉包括:自下而上依次设置的底层、进出液层、隔离层、换热层和顶层;顶层表面用于安装半导体激光阵列,在半导体激光阵列安装区域的下方,换热层设置有横向分布的微通道阵列,微通道阵列从半导体激光阵列的后腔面向前腔面逐渐密集分布,微通道阵列的液体流向沿半导体激光阵列的慢轴方向,从微通道阵列的中间向两侧流动。本发明中微通道热沉的结构设计减少了微通道热沉的水阻,使得半导体激光阵列整体散热性能提高,并且使两侧与中间温度分布均匀,从而达到均匀散热的目的,进而降低半导体激光器的光谱半宽。
公开/授权文献
- CN110957632A 一种改善半导体激光阵列光谱半宽的微通道热沉 公开/授权日:2020-04-03