本发明于一微发光二极管的表面覆上一第一保护层与一第二保护层，以完成一种可提升巨量转移良率的微发光二极管。特别地，表面覆有第一保护层与第二保护层的微发光二极管能够表现出较高的外来应力的耐受程度。如此，单一微发光二极管在进行基板转移或多个微发光二极管在进行巨量转移之时，其表层或其它区域便不会因受到外来应力的作用而导致变形、破裂或崩坏。同时，为了避免第一保护层与第二保护层会影响微发光二极管的正常出光，本发明特别令第一保护层的折射率小于第二半导体材料层，并同时令第二保护层的折射率小于第一保护层。