可提升巨量转移良率的微发光二极管

    公开(公告)号:CN110970532B

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN201811142993.0

    申请日:2018-09-28

    申请人: 丁肇诚

    发明人: 丁肇诚 郭浩中

    摘要: 本发明于一微发光二极管的表面覆上一第一保护层与一第二保护层,以完成一种可提升巨量转移良率的微发光二极管。特别地,表面覆有第一保护层与第二保护层的微发光二极管能够表现出较高的外来应力的耐受程度。如此,单一微发光二极管在进行基板转移或多个微发光二极管在进行巨量转移之时,其表层或其它区域便不会因受到外来应力的作用而导致变形、破裂或崩坏。同时,为了避免第一保护层与第二保护层会影响微发光二极管的正常出光,本发明特别令第一保护层的折射率小于第二半导体材料层,并同时令第二保护层的折射率小于第一保护层。

    LED元件及利用该LED元件的照明装置

    公开(公告)号:CN113314652A

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN202010119375.5

    申请日:2020-02-26

    申请人: 丁肇诚

    发明人: 丁肇诚

    摘要: 本发明主要提出一种LED元件及利用该LED元件的照明装置,LED元件主要包括:一LED芯片、一封装胶体、以及一荧光粉。其中,该封装胶体包覆该LED芯片,且该荧光粉掺杂于该封装胶体之内。依据本发明的设计,在该LED芯片所发出的一短波长色光射入该封装胶体之后,一特殊色光即透过该封装胶体射出。并且,该特殊色光的基础组成包含:相对强度为1的一第一色光、相对强度介于0.6至0.8之间的一第二色光、以及相对强度介于0.4至0.6之间的一第三色光。显然地,本发明能够做到令单一LED元件发出粉色、桃红色、等与女性气质相联系的特殊色光。

    具有包覆层之导线的半导体元件及其制作方法

    公开(公告)号:CN114695300A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202110133410.3

    申请日:2021-02-01

    申请人: 丁肇诚

    发明人: 丁肇诚

    摘要: 一种具有包覆层之导线的半导体元件,包含芯片单元、导线单元,及多个包覆单元。该芯片单元包括具有线路结构的承载基板,及至少一设置于该承载基板上的芯片,该导线单元具有多条用于电连接该芯片与该线路结构的导线,所述包覆单元分别包覆所述导线,每一包覆单元具有以原子层沉积方式形成且位于该导线最外层的绝缘层,通过原子层沉积的方式,能避免所述导线在制程中因机械支撑力不足而塌陷,且即使所述导线在制程中因位移而彼此接触,仍能通过包覆在最外层的该绝缘层来避免短路发生。此外,本案还提供该半导体元件的制作方法。

    保护层与其制造方法及用途

    公开(公告)号:CN112310257B

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN201910681178.X

    申请日:2019-07-26

    申请人: 丁肇诚

    发明人: 丁肇诚 郭浩中

    摘要: 本发明公开了一种保护层与其制造方法及用途,其中,该保护层包括:一第一薄膜、一缓冲薄膜与一第二薄膜。根据本发明的设计,将故障品的样品送入FIB系统之前,本发明的制作方法主要于样品的表层上沉积至少一层第一薄膜、至少一层缓冲薄膜与至少一层第二薄膜,进而在该样品的表层之上形成所述保护层。如此,通过此保护层所提供的保护,样品在进行FIB减薄处理或后续的化学蚀刻处理之时,其表层或其它区域便不会因为质量干扰、应力作用或电荷累积的因素而导致变形、破裂或崩坏。另一方面,表面覆有本发明的保护层的微发光二极管与垂直腔面发射激光器能够表现出较高的外来应力的耐受程度。

    可提升巨量转移良率的微发光二极管

    公开(公告)号:CN110970532A

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201811142993.0

    申请日:2018-09-28

    申请人: 丁肇诚

    发明人: 丁肇诚 郭浩中

    摘要: 本发明于一微发光二极管的表面覆上一第一保护层与一第二保护层,以完成一种可提升巨量转移良率的微发光二极管。特别地,表面覆有第一保护层与第二保护层的微发光二极管能够表现出较高的外来应力的耐受程度。如此,单一微发光二极管在进行基板转移或多个微发光二极管在进行巨量转移之时,其表层或其它区域便不会因受到外来应力的作用而导致变形、破裂或崩坏。同时,为了避免第一保护层与第二保护层会影响微发光二极管的正常出光,本发明特别令第一保护层的折射率小于第二半导体材料层,并同时令第二保护层的折射率小于第一保护层。

    具有可调能态的电连接垫的半导体测试芯片及其制作方法

    公开(公告)号:CN114334684A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202011047828.4

    申请日:2020-09-29

    申请人: 丁肇诚

    发明人: 郭浩中 丁肇诚

    摘要: 一种具有可调能态的电连接垫的半导体测试芯片,供用于半导体组件的打线可靠度测试,包含一半导体基底,及至少一设置在该半导体基底上的测试芯片,该至少一测试芯片具有一远离该半导体基底的顶面,及一自该顶面露出的电连接垫,该电连接垫具有一金属层,及一形成于该金属层的表层的能态层,其中,该能态层结合于该金属层,且具有与该金属层不同的能隙。此外,本发明还提供该半导体测试芯片的制作方法。通过该能态层仿真诱导半导体组件于不同环境的氧化及腐蚀破坏状况,得以加速利用该半导体测试芯片进行可靠度测试时的反应进行,以减少可靠度测试的时间。

    保护层与其制造方法及用途

    公开(公告)号:CN112310257A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN201910681178.X

    申请日:2019-07-26

    申请人: 丁肇诚

    发明人: 丁肇诚 郭浩中

    摘要: 本发明公开了一种保护层与其制造方法及用途,其中,该保护层包括:一第一薄膜、一缓冲薄膜与一第二薄膜。根据本发明的设计,将故障品的样品送入FIB系统之前,本发明的制作方法主要于样品的表层上沉积至少一层第一薄膜、至少一层缓冲薄膜与至少一层第二薄膜,进而在该样品的表层之上形成所述保护层。如此,通过此保护层所提供的保护,样品在进行FIB减薄处理或后续的化学蚀刻处理之时,其表层或其它区域便不会因为质量干扰、应力作用或电荷累积的因素而导致变形、破裂或崩坏。另一方面,表面覆有本发明的保护层的微发光二极管与垂直腔面发射激光器能够表现出较高的外来应力的耐受程度。

    用于被动元件的表面处理工艺的治具

    公开(公告)号:CN112301330A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN201910698975.9

    申请日:2019-07-31

    申请人: 丁肇诚

    发明人: 丁肇诚

    IPC分类号: C23C16/458

    摘要: 本发明公开了一种用于被动元件的表面处理工艺的治具,其构成主要包括:一承载板、形成于承载板之上的多个突起件、与多个侧板。如此设计,大量的表面黏着型被动元件被同时放入治具的承载板之上以后,只要适当地摇晃治具,便可以令各个表面黏着型被动元件微卡合于彼此相邻的任两个突起件之间,使得每个卡合固定的表面黏着型被动元件的每个表面能够与气流接触。因此,采用化学气相沉积或原子层沉积技术对每个表面黏着型被动元件执行一表面处理工艺时,表面黏着型被动元件的每个表面都可以被覆上均匀、致密的保护层。

    用于氨氧化处理的触媒

    公开(公告)号:CN110960982A

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201811156303.7

    申请日:2018-09-28

    申请人: 丁肇诚

    发明人: 丁肇诚

    IPC分类号: B01D53/86 B01D53/58

    摘要: 本发明提出一种用于氨氧化处理的触媒,于组成上包括:多个颗触媒颗粒以及用以携载该多个颗触媒颗粒的一担体。特别地,本发明以铂或者包含铂的复合物制成该多个颗触媒颗粒,并且令晶面为(111)的该触媒颗粒与晶面为(101)的该触媒颗粒于该担体之上具有一分布比例,且该分布比例介于1:1至10:1之间。实际应用本发明之时,只需要将上述之用于氨氧化处理的触媒于一操作温度下置于带有氨气的废气之中,就能够基于高氮气选择率将该氨气氧化。

    半导体测试芯片及其制作方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114284162A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202011031841.0

    申请日:2020-09-27

    申请人: 丁肇诚

    发明人: 郭浩中 丁肇诚

    IPC分类号: H01L21/66

    摘要: 一种半导体测试芯片,供用于半导体组件的打线可靠度测试,包含半导体基底及至少一设置在该半导体基底上的测试芯片,该至少一测试芯片具有反向该半导体基底的顶面,及至少一自该顶面对外裸露的电连接垫,该电连接垫具有金属层及形成于金属层的至少部分表面的金属化合物层,其中,该金属化合物层包括金属氧化物,且该金属化合物层的厚度介于2nm至50nm。此外,本发明还同时提供该半导体测试芯片的制作方法。通过该金属化合物层的组成、厚度及图样的其中至少一种,仿真半导体组件的电连接垫的表面状态,或于不同环境的氧化及腐蚀破坏状况,得以加速利用该半导体测试芯片进行可靠度测试时的反应进行,以减少可靠度测试的时间。