Invention Publication
- Patent Title: 用于具有体积单轴磁结晶各向异性的磁性层的自旋转移力矩切换的装置和方法
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Application No.: CN201910318506.XApplication Date: 2019-04-19
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Publication No.: CN110970551APublication Date: 2020-04-07
- Inventor: 郑在佑 , 马赫什·G·萨曼塔 , 斯图亚特·S·P·帕金 , 亚里·费兰特
- Applicant: 三星电子株式会社 , 国际商业机器公司
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社,国际商业机器公司
- Current Assignee: 三星电子株式会社,国际商业机器公司
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 贺卫国
- Priority: 16/146,728 2018.09.28 US
- Main IPC: H01L43/08
- IPC: H01L43/08 ; H01L43/12 ; G11C11/16

Abstract:
公开了一种装置。该装置包括:具有体积单轴磁结晶各向异性的第一磁性层,其中第一磁性层的磁矩垂直于第一磁性层;和邻近第一磁性层的隧道势垒,其中第一磁性层的磁矩的取向通过由在第一磁性层和隧道势垒之间流动并且流过第一磁性层和隧道势垒的电流引起的自旋转移力矩来反转。
Public/Granted literature
- CN110970551B 用于具有体积单轴磁结晶各向异性的磁性层的自旋转移力矩切换的装置和方法 Public/Granted day:2025-01-07
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IPC分类: