- 专利标题: 片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法
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申请号: CN201911091011.4申请日: 2019-11-09
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公开(公告)号: CN111007078B公开(公告)日: 2022-06-24
- 发明人: 李娟 , 李春 , 朱敏尉 , 刘楠 , 张辉 , 孔泽斌 , 张超 , 罗宇华 , 祝伟明 , 江芸 , 楼建设
- 申请人: 上海精密计量测试研究所
- 申请人地址: 上海市闵行区元江路3888号
- 专利权人: 上海精密计量测试研究所
- 当前专利权人: 上海精密计量测试研究所
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区元江路3888号
- 代理机构: 上海航天局专利中心
- 代理商 余岢
- 主分类号: G01N21/95
- IPC分类号: G01N21/95 ; G01N1/28 ; G01B21/00 ; G01B21/20 ; G01R31/12
摘要:
本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法,包括对样品进行剖面制样,再对制样剖面镜检;剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查,检查是否满足如下要求:阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞;对于A壳或B壳尺寸产品,阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量<4,且不集中在一边;对于C壳及以上尺寸产品,阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量<4,且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求,避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品,保证产品装机后的可靠性。
公开/授权文献
- CN111007078A 片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法 公开/授权日:2020-04-14