- 专利标题: 膜形成基材的制造方法、膜形成基材及表面处理剂
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申请号: CN201880051854.9申请日: 2018-10-11
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公开(公告)号: CN111032235B公开(公告)日: 2021-06-22
- 发明人: 西江健二 , 冈勇贵 , 市桥知子 , 藤井琢人
- 申请人: MEC株式会社
- 申请人地址: 日本国兵库县尼崎市杭瀬南新町三丁目4番1号
- 专利权人: MEC株式会社
- 当前专利权人: MEC株式会社
- 当前专利权人地址: 日本国兵库县尼崎市杭瀬南新町三丁目4番1号
- 代理机构: 北京戈程知识产权代理有限公司
- 代理商 程伟
- 优先权: 2017-204817 20171023 JP
- 国际申请: PCT/JP2018/038011 2018.10.11
- 国际公布: WO2019/082681 JA 2019.05.02
- 进入国家日期: 2020-02-10
- 主分类号: B05D3/10
- IPC分类号: B05D3/10 ; B05D1/26 ; B05D7/14 ; C09D11/30 ; C23C22/26 ; C23C22/52 ; H05K3/06 ; H05K3/26
摘要:
本发明的课题为提供可充分改善树脂组合物的渗出及树脂组合物与金属基材表面的密合性的膜形成基材的制造方法等。本发明提供在金属基材表面形成有树脂组合物的膜的膜形成基材的制造方法等,所述膜形成基材的制造方法中具备:蚀刻步骤,以微蚀刻剂蚀刻金属基材表面;表面处理步骤,使表面处理剂接触经蚀刻的前述金属基材表面而以使表面相对于水的接触角成为50°以上150°以下的方式进行表面处理;及膜形成步骤,在经表面处理的金属基材表面以喷墨方式形成树脂组合物的膜。
公开/授权文献
- CN111032235A 膜形成基材的制造方法、膜形成基材及表面处理剂 公开/授权日:2020-04-17