发明授权
- 专利标题： 一种非易失性存储器系统
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申请号： CN201880054925.0申请日： 2018-07-16
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公开(公告)号： CN111066086B公开(公告)日： 2023-10-03
- 发明人: H·V·特兰 , A·李 , T·乌 , S·洪 , F·周 , X·刘 , N·多
- 申请人： 硅存储技术股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 硅存储技术股份有限公司
- 当前专利权人： 硅存储技术股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 陈斌
- 国际申请： PCT/US2018/042342 2018.07.16
- 国际公布： WO2019/050625 EN 2019.03.14
- 进入国家日期： 2020-02-24
- 主分类号： G11C13/02
- IPC分类号： G11C13/02 ; G11C5/02 ; G11C5/04
摘要：
本文公开了用于写入到电阻式随机存取存储器单元并从电阻式随机存取存储器单元读取的电路的许多实施方案。本文还公开了用于电阻式存取存储器单元阵列的各种架构和布局。
公开/授权文献
- CN111066086A 用于写入到电阻式随机存取存储器单元阵列并从电阻式随机存取存储器单元阵列读取的电路 公开/授权日：2020-04-24
