发明授权
- 专利标题: 气相生长装置
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申请号: CN201911079497.X申请日: 2019-11-07
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公开(公告)号: CN111172517B公开(公告)日: 2022-05-31
- 发明人: 伊藤英树
- 申请人: 纽富来科技股份有限公司
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 纽富来科技股份有限公司
- 当前专利权人: 纽富来科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 牛玉婷
- 优先权: 2018-211261 20181109 JP
- 主分类号: C23C16/455
- IPC分类号: C23C16/455 ; C23C16/52 ; H01L21/02
摘要:
气相生长装置具备:n个反应室,n为2以上的整数;主气体供给通路,对n个反应室供给第一气体与第二气体的混合气体;n条副气体供给通路,从主气体供给通路分支,与反应室分别连接,包括1条第一副气体供给通路和(n-1)条第二副气体供给通路;第一压力计,测定主气体供给通路中的压力;1个第一流量控制器,设置于第一副气体供给通路;(n-1)个第二流量控制器,分别设置于第二副气体供给通路;第一控制电路,基于第一压力计的测定结果,对第一流量控制器指示第一流量值;以及第二控制电路,计算由第一流量控制器测定的流量值与由第二流量控制器测定的流量值的总和的n分之一即第二流量值,对第二流量控制器分别指示第二流量值。
公开/授权文献
- CN111172517A 气相生长装置 公开/授权日:2020-05-19
IPC分类: