本公开的实施例揭露了一种横向场效应晶体管。该横向场效应晶体管包括半导体层、阱区、体区、源区、漏区、栅结构以及沟槽型肖特基势垒结构。该沟槽型肖特基势垒结构由该阱区的上表面开始纵向延伸穿过所述源区、所述体区以及所述阱区的至少一部分使该沟槽型肖特基势垒结构的侧壁与该阱区之间形成纵向肖特基接触。该纵向肖特基接触可以基于制作该横向场效应晶体管的工艺步骤与该横向场效应晶体管同时制作，并且可以大幅缩减集成有肖特基二极管的横向场效应晶体管的横向尺寸，以更好地满足集成电路应用需要其尺寸和体积越来越小的同时具备良好的反向泄漏/反向衬底注入抑制能力的需求。