Invention Publication
- Patent Title: 半导体继电器控制装置
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Application No.: CN201880066012.0Application Date: 2018-07-18
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Publication No.: CN111201152APublication Date: 2020-05-26
- Inventor: 森本充晃 , 大石英一郎
- Applicant: 矢崎总业株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 矢崎总业株式会社
- Current Assignee: 矢崎总业株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 北京奉思知识产权代理有限公司
- Agent 邹轶鲛; 石红艳
- Priority: 2017-215314 2017.11.08 JP
- International Application: PCT/JP2018/026845 2018.07.18
- International Announcement: WO2019/092925 JA 2019.05.16
- Date entered country: 2020-04-09
- Main IPC: B60L3/00
- IPC: B60L3/00 ; H02J1/00 ; B60W10/26 ; B60W20/50

Abstract:
FET(11)使上游侧电源电路(101a)为通电状态,使上游侧电源电路(101a)为切断状态。FET(12)使下游侧电源电路(101b)为通电状态,使下游侧电源电路(101b)为切断状态。FET(13)与电容器(C)并联连接,通过导通而使电容器(C)的阳极与阴极为通电状态,通过截止而使阳极与阴极为切断状态。控制部(50)通过使FET(11)和FET(12)导通,且使FET(13)截止,从而使电源电路(101)为通电状态。控制部(50)在电源电路(101)的通电状态中被输入了预先确定的放电请求的情况下,使FET(11)截止,且使FET(12)和FET(13)导通。根据该结构,半导体继电器控制装置(1)能够在异常时恰当地处置电源电路(101)。
Public/Granted literature
- CN111201152B 半导体继电器控制装置 Public/Granted day:2022-11-29
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IPC分类: