本发明提供了一种GaN高电子迁徙率晶体管，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；掺杂层，设置在势垒层上；源极，设置在沟道层上，并位于势垒层的一侧；漏极，设置在沟道层上，并位于势垒层的另一侧；栅极，设置在掺杂层靠近漏极的一侧；其中，沟道层与势垒层的临界处靠近沟道层的一侧具有二维电子气，沟道层在源极处的高度大于沟道层在栅极处的高度。通过使沟道层在源极处的厚度大于沟道层在栅极处的厚度，使得晶体管通电时，高浓度2-DEG的流向为自上而下，有效避免或减弱了源极漏极之间电场的作用，从而提高晶体管的阈值电压。