公开(公告)号：CN111211163A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN202010158277.2

申请日：2020-03-09

申请人： 重庆平创半导体研究院有限责任公司 ,  重庆大学

发明人： 陈显平 ,  李万杰 ,  王黎明 ,  张旭 ,  钱靖 ,  吴灵美

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/778

摘要： 本发明提供了一种GaN高电子迁徙率晶体管，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；掺杂层，设置在势垒层上；源极，设置在沟道层上，并位于势垒层的一侧；漏极，设置在沟道层上，并位于势垒层的另一侧；栅极，设置在掺杂层靠近漏极的一侧；其中，沟道层与势垒层的临界处靠近沟道层的一侧具有二维电子气，沟道层在源极处的高度大于沟道层在栅极处的高度。通过使沟道层在源极处的厚度大于沟道层在栅极处的厚度，使得晶体管通电时，高浓度2-DEG的流向为自上而下，有效避免或减弱了源极漏极之间电场的作用，从而提高晶体管的阈值电压。

公开(公告)号：CN112238310A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202011196115.4

申请日：2020-10-30

申请人： 重庆平创半导体研究院有限责任公司 ,  重庆大学

发明人： 陈显平 ,  吴灵美 ,  李万杰 ,  钱靖 ,  张旭

IPC分类号： B23K35/30 ,  B23K35/40 ,  H01L23/02 ,  H01L23/24

摘要： 本发明提供了一种铜焊膏、铜焊膏制备方法和芯片。铜焊膏包括如下质量百分比的各组分：复合铜浆料：95％至99.8％；导电导热碳基材料：0.2％至5％。本发明通过在复合铜浆料中加入导电导热碳基材料，提高了铜焊膏的导电和导热性能，同时也增强了焊膏的力学性能。

公开(公告)号：CN110814575B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911180212.1

申请日：2019-11-27

申请人： 重庆平创半导体研究院有限责任公司 ,  桂林电子科技大学

发明人： 陈显平 ,  钱靖 ,  李显东 ,  檀春健 ,  陶璐琪 ,  喻佳兵 ,  袁敏 ,  李秋梅 ,  李万杰 ,  张旭 ,  吴灵美

IPC分类号： B23K35/362 ,  B23K35/363 ,  B23K35/40

摘要： 本发明提供了一种焊膏和焊膏的制备方法，焊膏的组分包括：金属纳米颗粒、氧化石墨烯、抗坏血酸、分散剂、增稠剂和触变剂；其中，金属纳米颗粒包括纳米铜颗粒；金属纳米颗粒所占质量百分比的份数为75至85，氧化石墨烯所占质量百分比的份数为5至10，抗坏血酸所占质量百分比的份数为3至8，分散剂所占质量百分比的份数为2至8，增稠剂所占质量百分比的份数为2至8，触变剂所占质量百分比的份数为2至8。金属纳米颗粒具备了抗氧化性，可以有效地改善焊料层整体的导热、导电性能；少量其他纳米金属和还原氧化石墨烯对烧结后的焊料层缺陷能够进行有效的填充，减少焊料层整体的孔隙率，从而进一步提高焊料层整体的导电、散热和连接性能。

公开(公告)号：CN110814575A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911180212.1

申请日：2019-11-27

申请人： 重庆平创半导体研究院有限责任公司

发明人： 陈显平 ,  钱靖 ,  李显东 ,  檀春健 ,  陶璐琪 ,  喻佳兵 ,  袁敏 ,  李秋梅 ,  李万杰 ,  张旭 ,  吴灵美

IPC分类号： B23K35/362 ,  B23K35/363 ,  B23K35/40

摘要： 本发明提供了一种焊膏和焊膏的制备方法，焊膏的组分包括：金属纳米颗粒、氧化石墨烯、抗坏血酸、分散剂、增稠剂和触变剂；其中，金属纳米颗粒包括纳米铜颗粒；金属纳米颗粒所占质量百分比的份数为75至85，氧化石墨烯所占质量百分比的份数为5至10，抗坏血酸所占质量百分比的份数为3至8，分散剂所占质量百分比的份数为2至8，增稠剂所占质量百分比的份数为2至8，触变剂所占质量百分比的份数为2至8。金属纳米颗粒具备了抗氧化性，可以有效地改善焊料层整体的导热、导电性能；少量其他纳米金属和还原氧化石墨烯对烧结后的焊料层缺陷能够进行有效的填充，减少焊料层整体的孔隙率，从而进一步提高焊料层整体的导电、散热和连接性能。

公开(公告)号：CN211350656U

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202020281237.2

申请日：2020-03-09

申请人： 重庆平创半导体研究院有限责任公司 ,  重庆大学

发明人： 陈显平 ,  李万杰 ,  王黎明 ,  张旭 ,  钱靖 ,  吴灵美

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/778

摘要： 本实用新型提供了一种GaN高电子迁徙率晶体管，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；掺杂层，设置在势垒层上；源极，设置在沟道层上，并位于势垒层的一侧；漏极，设置在沟道层上，并位于势垒层的另一侧；栅极，设置在掺杂层靠近漏极的一侧；其中，沟道层与势垒层的临界处靠近沟道层的一侧具有二维电子气，沟道层在源极处的高度大于沟道层在栅极处的高度。通过使沟道层在源极处的厚度大于沟道层在栅极处的厚度，使得晶体管通电时，高浓度2-DEG的流向为自上而下，有效避免或减弱了源极漏极之间电场的作用，从而提高晶体管的阈值电压。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN112735978B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202011490768.3

申请日：2020-12-16

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  重庆大学

发明人： 张西子 ,  王亮 ,  周扬 ,  钱靖 ,  吴灵美 ,  陈显平 ,  喻佳兵

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明提供了一种压接装置和有压烧结设备，压接装置包括：底座，底座内设置有容纳腔；压块，设置在容纳腔内，压块能够在容纳腔内沿容纳腔的深度方向滑动；其中，芯片组件位于压块和容纳腔的底壁之间，压块能够将芯片组件压紧在底壁上。本发明的技术方案中，压接装置的结构简单，这样使得压接装置结构可以设计的更加地紧凑，相对于相关技术中的压接装置，体积更小，重量更轻，避免了相关技术中的压接装置造价成本高，场地要求高的问题，从而提高了压接装置使用的便利性，节约了压接装置的制造和维护成本。

公开(公告)号：CN112735978A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011490768.3

申请日：2020-12-16

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  重庆大学

发明人： 张西子 ,  王亮 ,  周扬 ,  钱靖 ,  吴灵美 ,  陈显平 ,  喻佳兵

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明提供了一种压接装置和有压烧结设备，压接装置包括：底座，底座内设置有容纳腔；压块，设置在容纳腔内，压块能够在容纳腔内沿容纳腔的深度方向滑动；其中，芯片组件位于压块和容纳腔的底壁之间，压块能够将芯片组件压紧在底壁上。本发明的技术方案中，压接装置的结构简单，这样使得压接装置结构可以设计的更加地紧凑，相对于相关技术中的压接装置，体积更小，重量更轻，避免了相关技术中的压接装置造价成本高，场地要求高的问题，从而提高了压接装置使用的便利性，节约了压接装置的制造和维护成本。

公开(公告)号：CN112563231A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011387426.9

申请日：2020-12-01

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  重庆大学

发明人： 张西子 ,  王亮 ,  周扬 ,  吴灵美 ,  钱靖 ,  陈显平 ,  喻佳兵

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L23/373 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提供了一种填充式芯片互连结构和芯片互连结构的制备方法，填充式芯片互连结构包括：基板；金属焊膏连接层，金属焊膏连接层设置在基板上；芯片，芯片设置在金属焊膏连接层上；其中，金属焊膏连接层包括第一金属焊膏层和第二金属焊膏层，第二金属焊膏层位于第一金属焊膏层的中心位置。本发明的技术方案中，第二金属焊膏层用于将芯片的中心区域与基板的中心区域连接在一起。第二金属焊膏层由第二金属焊膏热压烧结而制成，这样在填充式芯片互连结构的热压烧结的制备过程中，金属焊膏涂抹层的中心区域产生的有机物产物和堆积的热量能够及时通过第一金属焊膏层的路径和孔隙中散出。从而提高了金属焊膏连接层的连接质量和连接的可靠性。