Invention Grant
- Patent Title: 具有对漏电流的补偿的存储器装置及其操作方法
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Application No.: CN201911173506.1Application Date: 2019-11-26
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Publication No.: CN111223509BPublication Date: 2024-09-10
- Inventor: 金钟律 , 金武星
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道水原市
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道水原市
- Agency: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- Agent 尹淑梅; 张逍遥
- Main IPC: G11C13/00
- IPC: G11C13/00

Abstract:
提供了一种存储器装置及其操作方法。所述存储器装置包括:存储器单元阵列,包括分别布置在多条字线与多条位线交叉的点处的多个存储器单元;以及控制逻辑电路,被配置为在读取操作中对连接到选择的存储器单元的选择的字线进行预充电,并且对连接到选择的存储器单元的选择的位线进行预充电,其中,控制逻辑电路还被配置为在将选择的字线预充电到第一电压时,将未选择的字线中的第一未选择的字线预充电到第二电压,当选择的字线被预充电到第一电压时,第一电压的电平低于施加到未选择的位线的第三电压的电平,第二电压的电平高于第三电压的电平。
Public/Granted literature
- CN111223509A 具有对漏电流的补偿的存储器装置及其操作方法 Public/Granted day:2020-06-02
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