本发明公开了一种双向硅控整流器及其制备方法，实际上是将原先单向无回滞效应硅控整流器阴极的结构全部去除，然后将两个原先单向无回滞效应硅控整流器阳极的结构用高压P阱左右对称地连接起来，本发明所提出的双向硅控整流器为双向器件，能同时适用于正负高压IO端口的防静电保护电路设计。另外，可通过调节所述第二距离的大小以调整所述双向硅控整流器回滞效应的触发电压，与现有技术中的无回滞效应硅控整流器相比，本发明提出的双向硅控整流器具有高于高压集成电路工作电压的触发电压，可无需多级串联直接应用于高压集成电路的防静电保护设计。