发明公开
- 专利标题: 基片处理方法
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申请号: CN201910857745.2申请日: 2019-09-09
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公开(公告)号: CN111261514A公开(公告)日: 2020-06-09
- 发明人: 胜沼隆幸 , 久松亨 , 石川慎也 , 木原嘉英 , 本田昌伸 , 户村幕树 , 熊仓翔
- 申请人: 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳; 徐飞跃
- 优先权: 2018-225461 2018.11.30 JP
- 主分类号: H01L21/311
- IPC分类号: H01L21/311
摘要:
本发明涉及一种基片处理方法,提供将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。基片处理方法包括:提供具有图案的处理对象的基片的步骤;在所述基片上形成膜的步骤;利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤;和对基片施加能量来除去反应层的步骤。
公开/授权文献
- CN111261514B 基片处理方法 公开/授权日:2024-09-24