公开(公告)号：CN117855088A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311287847.8

申请日：2023-10-07

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 齐藤昴 ,  中根由太 ,  高桥笃史 ,  石川慎也 ,  大内田聪 ,  户村幕树

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

摘要： 提供抑制蚀刻的形状异常的技术。本公开涉及的等离子体处理系统具备具有第一基板支持部的第一处理腔室、具有第二基板支持部且与第一处理腔室不同的第二处理腔室、与第一处理腔室以及第二处理腔室连接且具有搬运装置的搬运腔室和控制部，控制部执行如下处理：(a)将基板配置在第一处理腔室的第一基板支持部上，其具备具有凹部的含硅膜和含硅膜上的掩模，掩模具有露出凹部的开口；(b)在第一处理腔室内，在规定凹部的含硅膜的侧壁上形成含碳膜；(c)从第一处理腔室经由搬运腔室向第二处理腔室搬运基板，在第二基板支持部上配置基板；(d)在第二处理腔室内，使用由包含氟化氢气体的第一处理气体生成的等离子体蚀刻形成含碳膜的凹部的底部。

公开(公告)号：CN117121170A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280027729.0

申请日：2022-03-10

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  石川慎也

IPC分类号： H01L21/3065

摘要： 本公开提供改良基板上的含锡膜的技术。本公开涉及的基板处理方法包含：在腔室内准备基板的工序，所述基板具有被蚀刻膜和在被蚀刻膜上规定至少一个开口的含锡膜；以及向腔室供给包含含卤素气体或者含氧气体的处理气体，在含锡膜的表面形成改良膜的工序。

公开(公告)号：CN116705601A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310137724.X

申请日：2023-02-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 米泽隆宏 ,  胜沼隆幸 ,  石川慎也 ,  田中康基 ,  熊仓翔

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

摘要： 本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法是在等离子体处理装置中执行的方法，等离子体处理装置具有腔室、基板支承部以及等离子体生成部，等离子体处理方法包括：准备的工序，在基板支承部准备具有含硅膜和掩模膜的基板，掩模膜包含开口图案；以及蚀刻的工序，在腔室内生成等离子体，将掩模膜作为掩模来对含硅膜进行蚀刻，蚀刻的工序包括：向腔室内供给含有碳、氢及氟的包含1种以上的气体的处理气体；向等离子体生成部供给源RF信号，来从处理气体生成等离子体；以及向基板支承部供给偏压RF信号，在蚀刻的工序中，一边在掩模膜的表面的至少一部分形成含碳膜，一边至少通过从处理气体生成的氟化氢来蚀刻含硅膜。

公开(公告)号：CN113097061A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202011447487.X

申请日：2020-12-09

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 石川慎也 ,  小野健太 ,  户村幕树 ,  本田昌伸

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

摘要： 所公开的蚀刻方法包括在基板上划分开口的侧壁表面上形成保护层的工序。保护层含有磷。蚀刻方法还包括在形成保护层的工序之后，为了增加开口的深度而对基板的膜进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN111508831B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202010045816.1

申请日：2020-01-16

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 西出大亮 ,  久松亨 ,  石川慎也

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32

摘要： 本发明提供一种膜的蚀刻方法。一个实施方式的蚀刻方法包括在基片上形成含硅层的步骤。基片具有膜和掩模。含硅层由使用含有硅的前体气体的等离子体处理形成。含硅层包括硅、碳和氮。蚀刻方法还包括进行膜的等离子体蚀刻的步骤。从在基片上形成含硅层的步骤的开始时刻到进行膜的等离子体蚀刻的步骤的结束时刻的期间中，基片配置在减压了的环境下。由此，能够在掩模上形成与硅氧化层不同的层来对膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN116897413A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202280015254.3

申请日：2022-02-24

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小野健太 ,  石川慎也 ,  西塚哲也 ,  本田昌伸

IPC分类号： H01L21/3065

摘要： 对包含含锡膜的基板进行适当地蚀刻。在一个示例性实施方式中，提供一种基板处理方法。基板处理方法具备：准备基板的准备工序，所述基板具备含碳膜、设置在含碳膜上的中间膜和设置在中间膜上且具有开口图案的含锡膜；第一蚀刻工序，将含锡膜作为掩模蚀刻中间膜而将开口图案转印在中间膜上；以及第二蚀刻工序，使用由包含氢、卤素或者碳和氧的处理气体生成的等离子体除去含锡膜并且将中间膜作为掩模蚀刻含碳膜。

公开(公告)号：CN111326414A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911249113.4

申请日：2019-12-09

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 久松亨 ,  胜沼隆幸 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC分类号： H01L21/311

摘要： 本发明的课题在于：提供一种能够高精度地控制图案的形状的技术。本发明解决课题的方法在于：基板处理方法包括：提供在表层形成有图案的基板的提供工序；设定基板的温度使得图案的变化达到规定的变化量的设定工序；在基板的表层形成与温度相对应厚度的反应层的形成工序；和向基板供给能量而除去反应层的除去工序。

公开(公告)号：CN113169066B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201980076470.7

申请日：2019-07-12

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 久松亨 ,  胜沼隆幸 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/302

摘要： 本发明的基片处理方法包括：提供具有掩模的基片的步骤；在掩模上形成膜的步骤；在膜的表层形成反应层的步骤；和对反应层供给能量来去除反应层的步骤。

公开(公告)号：CN110777361B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201910665735.9

申请日：2019-07-23

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 中谷理子 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  熊仓翔 ,  本田昌伸 ,  木原嘉英

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

摘要： 本发明提供一种等离子体处理方法，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。

公开(公告)号：CN110010464B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201811565044.3

申请日：2018-12-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 田端雅弘 ,  久松亨 ,  熊仓翔 ,  浅子竜一 ,  石川慎也 ,  本田昌伸

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/02

摘要： [课题]提供处理基板的方法。[解决方案]一实施方式中，提供处理基板的方法。基板具有被蚀刻区域和图案化的区域。图案化的区域设置于被蚀刻区域上。方法中，在基板的表面上形成有机膜。接着，通过处理气体的等离子体，对被蚀刻区域进行蚀刻。有机膜的形成是在腔室内的处理空间中配置有基板的状态下执行。有机膜的形成中，向基板供给包含第1有机化合物的第1气体，接着，向基板供给包含第2有机化合物的第2气体。通过第1有机化合物与第2有机化合物的聚合而生成构成有机膜的有机化合物。