- 专利标题: 一种低噪声氮化硅陶瓷基摩擦材料及其制备方法和应用
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申请号: CN202010157499.2申请日: 2020-03-09
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公开(公告)号: CN111302810B公开(公告)日: 2021-04-16
- 发明人: 曾宇平 , 尹金伟 , 左开慧 , 夏咏锋 , 姚冬旭 , 梁汉琴
- 申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构: 上海瀚桥专利代理事务所
- 代理商 郑优丽; 熊子君
- 主分类号: C04B35/584
- IPC分类号: C04B35/584 ; C04B35/622 ; C04B35/645 ; C04B35/80
摘要:
本发明提供一种低噪声氮化硅陶瓷基摩擦材料及其制备方法和应用,所述Si3N4陶瓷基摩擦材料,其特征在于,以Si3N4粉、BN粉、β‑Si3N4晶须、陶瓷纤维以及金属氧化物粉体为主要原料,均匀混合后烧结制得,所述原料中,Si3N4粉质量分数为45~92%,BN粉质量分数为2~40%,β‑Si3N4晶须质量分数为2~10%,陶瓷纤维质量分数为2~20%,金属氧化物质量分数为2~15%,β‑Si3N4晶须与陶瓷纤维的质量比为1:(1~10)。
公开/授权文献
- CN111302810A 一种低噪声氮化硅陶瓷基摩擦材料及其制备方法和应用 公开/授权日:2020-06-19
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