公开(公告)号：CN115160017B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202210770747.X

申请日：2022-06-30

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 曾宇平 ,  冷全乐 ,  姚冬旭 ,  夏咏锋 ,  梁汉琴

IPC分类号： C04B38/10 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种高强度开孔氧化锆泡沫陶瓷的制备方法，包括：（1）以氧化锆粉体和凝胶剂为原料，配制固相含量为15vol.％～35vol.％的水基陶瓷浆料；（2）在所得水基陶瓷浆料中加入发泡剂分散均匀后，调节浆料pH值至7.8～8.5，再经进行机械搅拌发泡，得到泡沫浆料；所述发泡剂为阳离子表面活性剂和阴离子表面活性剂预先混合得到的复合发泡剂；（3）将所得泡沫浆料注入模具，再经固化、脱模和干燥，得到氧化锆泡沫陶瓷坯体；（4）将所得的氧化锆泡沫陶瓷坯体在1200～1600℃下烧结1～10小时，得到所述高强度开孔氧化锆泡沫陶瓷。

公开(公告)号：CN114621014B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202210232862.1

申请日：2022-03-09

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 曾宇平 ,  李世帅 ,  姚冬旭 ,  夏咏锋 ,  梁汉琴 ,  尹金伟

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明公开一种高强度高热导氮化硅陶瓷材料及其制备方法。所述高强度高热导氮化硅陶瓷材料的原料组成包括Si粉和烧结助剂；所述烧结助剂由稀土共沉淀粉体(RExEuy)2O3和碱土金属氧化物组成，(RExEuy)2O3中的RE为Y、Yb、Tm中的一种，x的取值范围为88~98mol.%，y的取值范围为2~12mol.%；所述碱土金属氧化物为MgO、CaO、SrO和BaO中的至少一种；所述稀土共沉淀粉体和碱土金属氧化物的摩尔比为0.5:9.5~9.5:0.5；以Si粉全部转化为Si3N4计，烧结助剂占高强度高热导氮化硅陶瓷材料的含量为5~10mol.%。

公开(公告)号：CN115745401A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211406178.7

申请日：2022-11-10

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 曾宇平 ,  梁汉琴 ,  夏咏锋 ,  姚冬旭

IPC分类号： C03C8/00 ,  C04B41/86 ,  C04B35/584

摘要： 本发明涉及一种氮化硅陶瓷包封用氧氮玻璃及其制备方法和应用。所述氧氮玻璃的组成包含Y2O3‑Al2O3‑SiO2‑AlN；其中Y2O3的含量为36.6～43.7wt％，Al2O3的含量为24.8～29.6wt％，SiO2的含量为17.7～22.1wt％，AlN的含量为4.6～20.9wt％。

公开(公告)号：CN115388690A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202110569450.2

申请日：2021-05-25

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 曾宇平 ,  李雪晴 ,  姚冬旭 ,  左开慧 ,  夏咏锋 ,  尹金伟 ,  梁汉琴

IPC分类号： F28D15/04 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B38/00

摘要： 本发明涉及一种具有极小孔道弯曲度的环路热管用氮化硅平板毛细芯及其制备方法，所述环路热管用氮化硅平板毛细芯内部具有单向孔道，小孔分布在大孔孔壁上；所述环路热管用氮化硅平板毛细芯的孔隙率为65.45%～85.37%，小孔尺寸为0.8～1.3μm，大孔尺寸为2.5～100.7μm，孔道弯曲度为2.0～6.0。

公开(公告)号：CN115340389A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202110523904.2

申请日：2021-05-13

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 曾宇平 ,  李雪晴 ,  姚冬旭 ,  左开慧 ,  夏咏锋 ,  尹金伟 ,  梁汉琴

IPC分类号： C04B35/599 ,  C04B35/64 ,  C04B38/00

摘要： 本发明涉及一种多孔β‑SiAlON陶瓷及其制备方法，所述多孔β‑SiAlON陶瓷的制备方法为：以Si3N4粉体作为原料粉体、Y‑α‑SiAlON为烧结助剂，经烧结后，得到所述多孔β‑SiAlON陶瓷。

公开(公告)号：CN112863892B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202011582512.5

申请日：2020-12-28

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 曾宇平 ,  马宇 ,  尹金伟 ,  姚冬旭 ,  梁汉琴 ,  夏咏锋 ,  左开慧

IPC分类号： H01G11/32 ,  H01G11/86 ,  C01B32/05

摘要： 本发明涉及一种具有高体积比电容的生物质炭块体电极及其制备方法，所述生物质炭块体电极是采用生物质为原材料制备而得的超级电容器用电极，具有三维大孔分级孔结构，所述三维大孔分级孔结构包括定向孔道短轴尺寸为1.5～4.1μm的第一大孔、所述第一大孔的孔道壁上直径为350～1200nm的连通性第二大孔和直径为100±20nm的凹坑状孔、微孔和介孔。

公开(公告)号：CN114163244A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111612077.0

申请日：2021-12-27

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 曾宇平 ,  梁汉琴 ,  夏咏锋 ,  姚冬旭 ,  尹金伟

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

摘要： 本发明涉及一种外硬内韧氮化硅陶瓷及其制备方法。所述外硬内韧Si3N4陶瓷包含三层氮化硅陶瓷；其中，中间层为内层，上下两层为外层；所述内层的主相为β‑Si3N4，优选是以88～89.5wt%氮化硅粉体作为原料，10.5～12wt%Al2O3‑Er2O3‑ZrSi2为烧结助剂，经热压烧结制备得到；所述外层的主相为α‑Si3N4，优选是以60.5～71.5wt%氮化硅粉体作为原料，以8.5～9.5wt%Al2O3‑Nd2O3‑LiF为烧结助剂，以及20～30wt%的TiC作为第二相，经二次热压烧结得到。

公开(公告)号：CN109516814B

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN201811469392.0

申请日：2018-11-28

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 曾宇平 ,  梁汉琴 ,  左开慧 ,  夏咏锋 ,  姚冬旭 ,  尹金伟

IPC分类号： C04B35/596 ,  C04B35/593 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种Si3N4/SiC复相陶瓷材料及其制备方法，所述Si3N4/SiC复相陶瓷材料是以Si3N4和SiC作为原料粉体，以Tm2O3和MgO作为烧结助剂，采用热压烧结制备得到；以原料粉体和烧结助剂总质量计为100wt%，所述SiC的含量为1～20wt%，所述烧结助剂的含量为6.94wt%，余量为Si3N4。

公开(公告)号：CN112863892A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011582512.5

申请日：2020-12-28

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 曾宇平 ,  马宇 ,  尹金伟 ,  姚冬旭 ,  梁汉琴 ,  夏咏锋 ,  左开慧

IPC分类号： H01G11/32 ,  H01G11/86 ,  C01B32/05

摘要： 本发明涉及一种具有高体积比电容的生物质炭块体电极及其制备方法，所述生物质炭块体电极是采用生物质为原材料制备而得的超级电容器用电极，具有三维大孔分级孔结构，所述三维大孔分级孔结构包括定向孔道短轴尺寸为1.5～4.1μm的第一大孔、所述第一大孔的孔道壁上直径为350～1200nm的连通性第二大孔和直径为100±20nm的凹坑状孔、微孔和介孔。

公开(公告)号：CN111302810B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202010157499.2

申请日：2020-03-09

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 曾宇平 ,  尹金伟 ,  左开慧 ,  夏咏锋 ,  姚冬旭 ,  梁汉琴

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C04B35/80

摘要： 本发明提供一种低噪声氮化硅陶瓷基摩擦材料及其制备方法和应用，所述Si3N4陶瓷基摩擦材料，其特征在于，以Si3N4粉、BN粉、β‑Si3N4晶须、陶瓷纤维以及金属氧化物粉体为主要原料，均匀混合后烧结制得，所述原料中，Si3N4粉质量分数为45～92%，BN粉质量分数为2～40%，β‑Si3N4晶须质量分数为2～10%，陶瓷纤维质量分数为2～20%，金属氧化物质量分数为2～15%，β‑Si3N4晶须与陶瓷纤维的质量比为1：（1～10）。