本发明公开了一种亚微米结构光栅的制备方法，属于半导体学中的微观结构技术领域，具体包括：在硅片上旋涂电子束抗蚀剂后进行电子束曝光，获取电子束抗蚀剂层；以电子束抗蚀剂层作掩膜进行干法刻蚀制备纳米压印模板；将纳米压印模板上的亚微米结构转移至热固化透明软膜上；并在制备光栅的衬底上旋涂紫外固化压印胶；通过纳米压印方法将热固化透明软膜上的亚微米结构转移至紫外固化压印胶上；利用干法刻蚀方法，将紫外固化压印胶上的亚微米图形转移至制备光栅的衬底上。本发明通过电子束曝光、干法刻蚀制备的纳米压印模板图形精度高，表面光滑。通过软膜转印、纳米压印、干法刻蚀制备的亚微米结构光栅均匀性好、成品率高、尺寸精确、成本低。