本申请公开了一种掩膜板、TFT的制备方法、TFT及阵列基板，方法包括依次形成有源层、第一栅绝缘层、第一栅极层、第二栅绝缘层、第二栅极层及平坦化的层间绝缘层；在层间绝缘层上形成光刻胶，对第一区域位置的光刻胶半曝光，对第二区域位置的光刻胶全曝光，并去除被曝光的光刻胶；在第一区域位置刻蚀层间绝缘层预定深度形成线槽，在第二区域位置刻蚀延伸至有源层的过孔；在所述层间绝缘层上形成第一金属薄膜，研磨所述第一金属薄膜至暴露所述层间绝缘层。本方案中在形成过第一金属薄膜后，通过研磨的方式形成源漏极图案，克服了干法刻蚀的缺陷，提高了产品良率，此外，源漏极图案精度高，可以降低串扰。