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公开(公告)号:CN110323196A
公开(公告)日:2019-10-11
申请号:CN201910383172.4
申请日:2019-05-09
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L23/485 , H01L21/60
摘要: 本发明公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板,包括扇形区域,所述扇形区域内设置有多条信号走线,在所述扇形区域,所述显示基板包括基底,所述信号走线设置在所述基底上,所述信号走线在沿所述扇形区域的宽度方向上呈凹凸不平状。本发明实施例的显示基板,将信号走线设置为在沿扇形区域的宽度方向上呈凹凸不平状,从而,可以在不改变信号走线长度以及信号走线之间间距的情况下,使得扇形区域的宽度减小,有利于实现显示基板的窄边框设计。
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公开(公告)号:CN110323196B
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN201910383172.4
申请日:2019-05-09
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L23/485 , H01L21/60
摘要: 本发明公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板,包括扇形区域,所述扇形区域内设置有多条信号走线,在所述扇形区域,所述显示基板包括基底,所述信号走线设置在所述基底上,所述信号走线在沿所述扇形区域的宽度方向上呈凹凸不平状。本发明实施例的显示基板,将信号走线设置为在沿扇形区域的宽度方向上呈凹凸不平状,从而,可以在不改变信号走线长度以及信号走线之间间距的情况下,使得扇形区域的宽度减小,有利于实现显示基板的窄边框设计。
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公开(公告)号:CN111308850A
公开(公告)日:2020-06-19
申请号:CN202010108392.9
申请日:2020-02-21
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号: G03F1/00 , G02F1/1362 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/786
摘要: 本申请公开了一种掩膜板、TFT的制备方法、TFT及阵列基板,方法包括依次形成有源层、第一栅绝缘层、第一栅极层、第二栅绝缘层、第二栅极层及平坦化的层间绝缘层;在层间绝缘层上形成光刻胶,对第一区域位置的光刻胶半曝光,对第二区域位置的光刻胶全曝光,并去除被曝光的光刻胶;在第一区域位置刻蚀层间绝缘层预定深度形成线槽,在第二区域位置刻蚀延伸至有源层的过孔;在所述层间绝缘层上形成第一金属薄膜,研磨所述第一金属薄膜至暴露所述层间绝缘层。本方案中在形成过第一金属薄膜后,通过研磨的方式形成源漏极图案,克服了干法刻蚀的缺陷,提高了产品良率,此外,源漏极图案精度高,可以降低串扰。
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