掩膜板、TFT的制备方法、TFT及阵列基板

    公开(公告)号:CN111308850A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010108392.9

    申请日:2020-02-21

    摘要: 本申请公开了一种掩膜板、TFT的制备方法、TFT及阵列基板,方法包括依次形成有源层、第一栅绝缘层、第一栅极层、第二栅绝缘层、第二栅极层及平坦化的层间绝缘层;在层间绝缘层上形成光刻胶,对第一区域位置的光刻胶半曝光,对第二区域位置的光刻胶全曝光,并去除被曝光的光刻胶;在第一区域位置刻蚀层间绝缘层预定深度形成线槽,在第二区域位置刻蚀延伸至有源层的过孔;在所述层间绝缘层上形成第一金属薄膜,研磨所述第一金属薄膜至暴露所述层间绝缘层。本方案中在形成过第一金属薄膜后,通过研磨的方式形成源漏极图案,克服了干法刻蚀的缺陷,提高了产品良率,此外,源漏极图案精度高,可以降低串扰。