- 专利标题： 一种含高浓度无序点缺陷的SnTe基热电材料及其制备
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申请号： CN201911415949.7申请日： 2019-12-31
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公开(公告)号： CN111312887B公开(公告)日： 2023-09-01
- 发明人: 裴艳中 , 李文 , 唐婧
- 申请人： 同济大学
- 申请人地址： 上海市杨浦区四平路1239号
- 专利权人： 同济大学
- 当前专利权人： 同济大学
- 当前专利权人地址： 上海市杨浦区四平路1239号
- 代理机构： 上海科盛知识产权代理有限公司
- 代理商 刘燕武
- 主分类号： H10N10/852
- IPC分类号： H10N10/852 ; H10N10/01
摘要：
本发明涉及一种含高浓度无序点缺陷的SnTe基热电材料及其制备，其化学通式为Sn(1+δ)/3Pb1/3Ge1/3Te1‑ySey‑xMnTe，其中，0≤x≤0.25,0≤y≤1,0≤δ≤0.09。与现有技术相比，本发明的材料中含有高浓度的无序点缺陷，以获得低晶格热导率，其中，通过MnTe固溶能够有效调控能带，优化电学性能，从而获得SnTe基热电材料，并为热电材料性能优化提供了新的研究方向与指导思路等。
公开/授权文献
- CN111312887A 一种含高浓度无序点缺陷的SnTe基热电材料及其制备 公开/授权日：2020-06-19
