公开(公告)号：CN118946236A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410906498.1

申请日：2024-07-08

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 瞿三寅 ,  任童威 ,  史迅 ,  仇鹏飞

IPC分类号： H10N10/852 ,  H10N10/01 ,  C01B17/20

摘要： 本发明涉及一种硒掺杂过渡金属硫族化合物热电材料及其制备方法。所述硒掺杂过渡金属硫族化合物热电材料具有组成式由Ta2Pd(S1‑xSex)6表示的晶体结构，其中0＜x≤0.07，优选x＝0.02、0.05或0.07。

公开(公告)号：CN118900613A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410929006.0

申请日：2024-07-11

申请人： 上海应用技术大学

发明人： 孟秋风 ,  王光晨 ,  杜永

IPC分类号： H10N10/01 ,  C01B19/00 ,  H10N10/852 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明涉及一种热电材料，具体涉及一种柔性Ag2TexSe1‑x纳米线薄膜及其制备方法，包括如下五个步骤：S1：制备超细Te NWs；S2：以Te NWs为前驱体制备TexSe1‑x NWs；S3：在TexSe1‑x NWs的乙醇分散液中加入Ag源，制备Ag2TexSe1‑x NWs；S4：通过真空抽滤法制备柔性Ag2TexSe1‑x热电薄膜材料；S5：对柔性薄膜进行退火处理，以优化其热电性能。与现有技术相比，本发明制备的柔性热电材料具有良好的热电性能和柔性，在柔性可穿戴电子设备中具有潜在应用前景。

公开(公告)号：CN118883624A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410950401.7

申请日：2024-07-16

申请人： 中国航发北京航空材料研究院

发明人： 罗炳威 ,  田青云 ,  罗飞 ,  李彰 ,  周海涛 ,  马可欣 ,  王素杰

IPC分类号： G01N25/20 ,  G01K7/02 ,  H10N10/01 ,  H10N10/17

摘要： 本发明提供基于PT‑ITO薄膜热电偶的热障涂层隔热效果试验方法，包括如下步骤：制备绝缘层、制备下层薄膜热电偶、制备热障涂层、制备上层薄膜热电偶、热障涂层隔热效果试验。本发明通过在涡轮叶片表面制备双层PT‑ITO薄膜热电偶实现1350℃以下流场环境下热障涂层的评价。

公开(公告)号：CN118870952A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410877338.9

申请日：2024-07-02

申请人： 上海第二工业大学

发明人： 王元元 ,  黄瑾 ,  董岚 ,  钟金鑫 ,  王骏 ,  吴子华

IPC分类号： H10N10/01 ,  H10N10/13 ,  H10N10/17 ,  H10N10/80 ,  H02N11/00

摘要： 本发明公开了一种利用周期性热源提升热电发电器件性能的方法。本发明利用温度随时间周期性变化的热源，在控制热电发电器件的热源平均温度保持不变的前提下，通过调节随时间变化的周期性热源温度的振幅差的大小，提升热电发电器件的性能。本发明方法成本较低、灵活方便，为热电发电器件性能优化提供了一种新型思路。

公开(公告)号：CN118851763A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410935440.X

申请日：2024-07-12

申请人： 西华大学

发明人： 郭沐春 ,  陈红 ,  孙晨越 ,  张勤勇

IPC分类号： C04B35/515 ,  H10N10/853 ,  H10N10/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

摘要： 本发明公开了一种p型CaMg2Sb2基热电材料及其制备方法，属于新能源材料领域，所述CaMg2Sb2基热电材料的化学组成为：Ca1‑x‑yYbxLiyMg2‑zCdzSb2，其中，0＜x＜0.7，0＜y＜0.03，0＜z≤0.5；其制备方法为采用高能球磨加放电等离子烧结制备；本发明提供的p型CaMg2Sb2基热电材料，采用Yb、Li、Cd共掺杂显著提高了材料的载流子浓度和迁移率，并降低了材料的晶格热导率，材料的最高ZT在0.9～1.1；本发明实现了高载流子浓度和高迁移率的p型CaMg2Sb2基热电材料的制备，其热电性能显著提高。

公开(公告)号：CN118808658A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202310414394.4

申请日：2023-04-18

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 赵怀周 ,  张晓凡 ,  朱航天

IPC分类号： B22F9/04 ,  B22F3/14 ,  B22F3/24 ,  C22C1/04 ,  B22F3/105 ,  C22C30/00 ,  H10N10/01 ,  H10N10/853

摘要： 本发明提供一种MgAgSb热电材料及其制备方法和用途，所述制备方法包括：按照化学式MgAg取原料，采用同步传动式高能球磨机球磨；然后按照化学式MgAgSb向步骤(1)得到的粉末中加入Sb，再继续采用同步传动式高能球磨机球磨；将得到的混合物粉末烧结成块体材料；在310±2℃的温度下退火12～30小时。本发明通过使用同步传动球磨设备实现机器稳定高速运转以及用硬质合金球替代钢球提高了球磨能量从而避免冷焊的球磨方法和临界相变温度下的退火实现了p型镁银锑基热电材料性能上的突破，其与n型镁铋锑基热电材料搭配制得的全镁基热电器件在近室温附近同时拥有极高的热电发电效率和优异的制冷温差，具有非常广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN118748905A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410721477.2

申请日：2024-06-05

申请人： 江西科技师范大学

发明人： 蒋丰兴 ,  万志亮 ,  徐景坤 ,  刘聪聪 ,  周卫强 ,  刘佩佩 ,  刘小芳

IPC分类号： H10N10/855 ,  H10N10/01 ,  C01B32/921

摘要： 本发明公开了一种n型Ti3C2Tx柔性热电薄膜及其调控方法。在三电极体系中通过改变电势窗口和扫描圈数来调控阳离子与n型Ti3C2Tx表面官能团之间的相互作用，实现插层以及表面化学改性，使功率因子超过20μWm‑1K‑2。在保证良好热电性能的基础上，兼具优异的稳定性。该调控方法具有操作简单，高效和安全环保等优点，为通过表面基团修饰优化n型MXene热电性能提供了新思路，所得的n型热电薄膜可广泛应用于废热回收、加热元件、电子设备等领域，具有广泛的应用前景和市场潜力。

公开(公告)号：CN118715888A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380021159.9

申请日：2023-01-05

申请人： 电化株式会社

发明人： 丹羽亮太 ,  浅见健志 ,  前田谅太

IPC分类号： H10N10/856 ,  H10N10/01 ,  H10N10/855

摘要： 一种热电转换用n型材料，其是将掺杂剂掺杂于含有碳纳米管及导电性树脂的热电转换用p型材料而成的热电转换用n型材料，掺杂剂含有含二价铁离子的络离子、碱金属阳离子、阳离子捕捉剂和还原剂。

公开(公告)号：CN118688249A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410950404.0

申请日：2024-07-16

申请人： 中国航发北京航空材料研究院

发明人： 罗炳威 ,  田青云 ,  罗飞 ,  李帅 ,  马可欣 ,  王素杰 ,  熊希雅

IPC分类号： G01N25/20 ,  G01K7/02 ,  H10N10/01 ,  H10N10/17

摘要： 本发明提供基于Pt‑Ir薄膜热电偶的热障涂层隔热效果试验方法，包括如下步骤：制备绝缘层、制备下层薄膜热电偶、制备热障涂层、制备上层薄膜热电偶、热障涂层隔热效果试验。本发明通过在涡轮叶片表面制备双层Pt‑Ir薄膜热电偶实现1400℃以下流场环境下热障涂层的评价。

公开(公告)号：CN118614165A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202280090252.0

申请日：2022-12-22

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 安藤冬希 ,  玉置洋正 ,  山村谅祐

IPC分类号： H10N10/852 ,  B22F3/105 ,  B22F3/14 ,  C22C28/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/18 ,  H10N10/01

摘要： 本发明的热电转换材料含有选自Ge、In、Sb和Bi中的至少1者和Te，满足由α+β+γ＜1.00表示的条件(1)。在条件(1)中，α是Ge的含量与Te的含量的物质的量之比，β是In的含量与Te的含量的物质的量之比，γ是Sb和Bi的含量之和与Te的含量的物质的量之比。