本发明涉及一种去除正面多晶硅绕镀的方法。包括：(1)、对硅片正面进行硼扩散，形成p+发射极、正面硼硅玻璃层；(2)、刻蚀硅片背面，将背面刻蚀成平面，去除背面和四周硼掺杂层、硼硅玻璃层，去除正面硼硅玻璃层；(3)、在硅片背面生长隧穿氧化层和本征非晶硅层，在硅片正面边缘区域形成正面绕镀多晶硅层；(4)、在本征非晶硅层上离子注入，形成磷硅玻璃层，并退火，形成掺磷多晶硅层；(5)、在掺磷多晶硅层上镀氮化硅层；(6)将硅片置于碱与单晶添加剂的混合溶液中，去除正面绕镀多晶硅层；(7)在硅片两面均镀氧化铝层，并在正面氧化铝层上镀钝化减反膜层。本发明可以很好地控制碱绕镀溶液中碱液和绕镀多晶硅的反应速率，增加反应窗口。