公开(公告)号：CN111510068B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202010329717.6

申请日：2020-04-24

申请人： 泰州中来光电科技有限公司

发明人： 包杰 ,  陈程 ,  黄策 ,  乔振聪 ,  刘志锋 ,  陈嘉 ,  林建伟

IPC分类号： H02S50/10 ,  G01R27/08 ,  G01R31/389

摘要： 本发明涉及一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法，包括：(1)、在电池片上直径不同的圆形点状电极周围进行开槽处理，形成内径不同的圆形凹槽结构；(2)、测试内径不同的圆形凹槽结构对应的内径；(3)、测试直径不同的圆形点状电极与背面金属电极之间对应的总电阻值；(4)、采集不同的圆形凹槽结构对应的内径数据、以及直径不同的圆形点状电极与背面金属电极之间对应的总电阻值数据，绘制散点图，并运用两端接触的电流传输模型对散点进行拟合，计算接触电阻率。本发明的圆形凹槽结构能够阻断电流在钝化接触结构中的横向传输，使电流的实际传输路径与理论路径更加吻合，可以显著提高拟合决定系数和测试的精确性。

公开(公告)号：CN110071182B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN201910434847.3

申请日：2019-05-23

申请人： 泰州中来光电科技有限公司

发明人： 林建伟 ,  包杰 ,  吴伟梁 ,  陈嘉 ,  陈程 ,  刘志锋

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种多层隧道结的钝化太阳能电池及制备方法，包括N型晶体硅基体，所述N型晶体硅基体的背表面包括依次从内到外的隧道结总层、背钝化减反射薄膜、n+金属电极；所述隧道结总层包括至少两层隧道结层，所述隧道结层包括从内到外设置的氧化层和n+掺杂多晶硅层。本发明使用多层隧道结层结构，满足低金属接触复合、低非金属接触区域复合、低接触电阻率，并由不同的单层隧道结分开满足，不需要考虑三者之间的平衡和制约。

公开(公告)号：CN113571605B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202110818021.4

申请日：2021-07-20

申请人： 泰州中来光电科技有限公司

发明人： 杜哲仁 ,  陈春平 ,  包杰 ,  陈程 ,  季根华 ,  沈承焕 ,  陈嘉 ,  林建伟

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L21/268 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法及应用。该方法包括：取以N型硅片(如N型单晶硅片)为衬底的钝化接触太阳电池；采用特定光源对所述钝化接触太阳电池表面进行照射，以使钝‑ 0化接触太阳电池的N型硅衬底中的H转化成H；并共同将特定电压施加于所述钝化接触太阳电池的正负电极，以使H‑驱除出所述N型硅衬底表面。该方法通过特定光源照射结合特定电压施加的方式，既能驱除钝化接触太阳电池的N型硅衬底中的H‑，又能将其硅衬底中的H‑转化为H0；因此能降低其硅衬底中的H‑含量来消除N型钝化接触太阳电池的氢致衰减和提高电池效率。

公开(公告)号：CN116565061A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202210112025.5

申请日：2022-01-29

申请人： 泰州中来光电科技有限公司

发明人： 季根华 ,  沈承焕 ,  陈程 ,  张耕 ,  曹俊 ,  赵影文 ,  包杰 ,  杨俊楠 ,  钱嘉伟 ,  陈嘉 ,  马丽敏

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/768 ,  H01L31/042

摘要： 本发明公开一种太阳能电池及其制备方法、组件和系统。该太阳能电池包括硅衬底、依次叠设于硅衬底的掺杂层和钝化层，钝化层开有局域裸露掺杂层的电极槽，电极槽设有背面电极；背面电极包括依次叠设于掺杂层的种子金属硅化物层、种子金属氧化物薄层、混合导电层和外金属层；种子金属硅化物层为钼硅化物层、镍硅化物层和钛硅化物层中的一层或多层，种子金属氧化物薄层为钼氧化物薄层、镍氧化物薄层和钛氧化物薄层中的一层或多层，其厚度不大于20nm，混合导电层为种子金属氧化物与种子金属‑外金属合金体相互扩散形成的结构。该太阳能电池具有新的电极结构，能促进电极结构和性能改进，降低成本，电流传输性优异，金属复合损失小。

公开(公告)号：CN115274877A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202110486499.1

申请日：2021-04-30

申请人： 泰州中来光电科技有限公司

发明人： 沈承焕 ,  陈程 ,  陈嘉 ,  季根华 ,  杜哲仁 ,  陆俊宇 ,  林建伟

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01B1/02

摘要： 本发明涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种设有新型金属电极的光伏电池及制备工艺。该设有新型金属电极的光伏电池，包括硅衬底、依次设于所述硅衬底表面的掺杂层和钝化减反膜，所述钝化减反膜的背面开设有局域裸露所述掺杂层的开膜区，所述开膜区设有背电极；所述背电极包括依次覆设于所述开膜区表面的局域种子金属层及廉金属层；所述局域种子金属层为Ti、TiN和TiW中的一种或多种组合；廉金属层在钝化减反膜上的投影面积总和与钝化减反膜的面积之比为1:2‑1:30。该光伏电池将成本低的金属材料，如廉金属层，完全替代价格高昂的Ag金属材料作为金属电极，进而在保障电池效率的前提下，能极大地降低电极成本。

公开(公告)号：CN113745354A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202111014280.8

申请日：2021-08-31

申请人： 泰州中来光电科技有限公司

发明人： 沈承焕 ,  陈程 ,  季根华 ,  赵影文 ,  包杰 ,  陈嘉 ,  林建伟

IPC分类号： H01L31/0224

摘要： 本发明一种背接触太阳能电池，包括至少两个子电池，子电池的背表面设有背电极，背电极包括交替排布的发射电极和基电极；发射电极设有位于每个子电池同一边且整段设置的第一发射电极，基电极设有位于每个子电池另一边且整段设置的第一基电极，每个子电池的第一发射电极与第一基电极间设有分段的第二发射电极及第二基电极；每个子电池中，第一发射电极与第二发射电极连有穿过第二基电极的分段间隔的第一导线，第一基电极与第二基电极连有穿过第二发射电极的分段间隔的第二导线；相邻两子电池的第二发射电极及第二基电极的分段位置均相互错开；该背电极能提高电池制备效率，且切片后无需旋转即能达到半片电池降低串阻的效果，简化电池组件制备工序。

公开(公告)号：CN113571605A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110818021.4

申请日：2021-07-20

申请人： 泰州中来光电科技有限公司

发明人： 杜哲仁 ,  陈春平 ,  包杰 ,  陈程 ,  季根华 ,  沈承焕 ,  陈嘉 ,  林建伟

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L21/268 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法及应用。该方法包括：取以N型硅片(如N型单晶硅片)为衬底的钝化接触太阳电池；采用特定光源对所述钝化接触太阳电池表面进行照射，以使钝化接触太阳电池的N型硅衬底中的H‑转化成H0；并共同将特定电压施加于所述钝化接触太阳电池的正负电极，以使H‑驱除出所述N型硅衬底表面。该方法通过特定光源照射结合特定电压施加的方式，既能驱除钝化接触太阳电池的N型硅衬底中的H‑，又能将其硅衬底中的H‑转化为H0；因此能降低其硅衬底中的H‑含量来消除N型钝化接触太阳电池的氢致衰减和提高电池效率。

公开(公告)号：CN111641387A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010464927.6

申请日：2020-05-28

申请人： 泰州中来光电科技有限公司

发明人： 包杰 ,  陈程 ,  黄策 ,  乔振聪 ,  刘志锋 ,  陈嘉 ,  林建伟

IPC分类号： H02S50/10

摘要： 本发明涉及一种测试金属接触复合值的方法及太阳能电池。该方法包括：(1)、在待测样品上单面印刷至少两个不同金属占比的栅线图形，并烧结；(2)、去除待测样品上不同金属占比的栅线图形；(3)、测试不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值；(4)、采集不同金属占比的数据、以及不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值数据，绘制散点图，得到线性函数的斜率和截距；根据线性函数的斜率和截距、以及表面复合模型，计算出金属接触复合值。本发明在测试总暗态饱和电流密度的过程中，载流子在待测样品前后表面的分布一致，避免了载流子在前后表面分布不均匀引起测试不准确，更具准确性。

公开(公告)号：CN111524797A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010339398.7

申请日：2020-04-26

申请人： 泰州中来光电科技有限公司

发明人： 陈嘉 ,  马丽敏 ,  陈程 ,  包杰 ,  季根华 ,  吴伟梁 ,  刘志锋 ,  林建伟

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/268 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种选择性发射极的制备方法，包括：(1)将双面制绒后的N型硅基体放入扩散炉中，并将扩散炉升温至第一温度值后，通源进行第一次硼源沉积(2)、继续升温至第二温度值，进行氧化，形成第一次扩散结和第一硼硅玻璃层；(3)、将扩散炉降温至第三温度值，通源进行第二次硼源沉积，形成第二次扩散结和第二硼硅玻璃层；(4)、对N型硅基体进行掺杂处理，形成第一重掺杂区域和第一轻掺杂区域；(5)、去除第一硼硅玻璃层和第二硼硅玻璃层；(6)、去除第一轻掺杂区域和第一重掺杂区域的表面发射极，形成第二轻掺杂区域和第二重掺杂区域。本发明解决了采用旋涂硼源法制备选择性发射极过程中存在的产能低，且会造成硼源浪费的问题。

公开(公告)号：CN111180555A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010143974.0

申请日：2020-03-04

申请人： 泰州中来光电科技有限公司

发明人： 陈嘉 ,  陈程 ,  马丽敏 ,  包杰 ,  吴伟梁 ,  刘志锋 ,  林建伟

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068

摘要： 本发明涉及一种基于PERC的钝化接触电池的制备方法，包括(1)、在制绒后的晶体硅基体的单面沉积隧穿氧化层和多晶硅层；(2)、磷扩散，在前表面形成浅掺杂区域，多晶硅层变成掺杂多晶硅层；在背表面形成重掺杂区域；掺杂多晶硅层与重掺杂区域上均形成含磷氧化层；(3)、在前表面局部印刷耐酸浆料层；(4)、在局部印刷耐酸浆料层所在区域制备局部掺杂多晶硅层；(5)对基体双面进行沉积，形成前、背面钝化减反射薄膜；(6)、在背面钝化减反射薄膜上进行开膜；(7)、在局部掺杂多晶硅层所在区域和开膜所在区域进行印刷，并烧结，分别形成正表面金属电极和背表面金属电极。本发明制备工艺简单，稳定性可靠，适用于大规模量产。