发明授权
- 专利标题: 一种测量半导体中杂质活化能的方法
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申请号: CN202010182382.X申请日: 2020-03-16
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公开(公告)号: CN111366833B公开(公告)日: 2022-09-09
- 发明人: 杨安丽 , 张新河 , 高博 , 陈施施 , 温正欣 , 张志新 , 张国旗
- 申请人: 深圳第三代半导体研究院
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
- 专利权人: 深圳第三代半导体研究院
- 当前专利权人: 南方科技大学
- 当前专利权人地址: 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
- 代理机构: 北京中知法苑知识产权代理有限公司
- 代理商 刘敦枫
- 主分类号: G01R31/265
- IPC分类号: G01R31/265 ; G01N21/64
摘要:
本发明实施例涉及半导体材料分析及检测技术,公开了一种测量半导体中杂质活化能的方法,拓展了时间分辨荧光光谱的应用场合。包括以下步骤:半导体中的杂质参与荧光辐射复合发光。获取杂质发光峰的波长及半峰宽;确定带通滤波片,确定激光激发强度,测定不同温度下对应发光峰的荧光强度衰减曲线,记录t=0时刻探测器所得的荧光最大强度;对不同温度下探测器所测得的荧光最大强度和温度的倒数绘制阿累尼乌斯曲线进行线性拟合得到斜率后,乘以玻尔兹曼常数取得杂质的活化能。该方法利用变温时间分辨荧光光谱不仅可以获得温度依赖的载流子寿命的信息,而且可以求得杂质引入能级的活化能,简单方便,易操作,实验成本大幅降低同时运算效率大大提高。
公开/授权文献
- CN111366833A 一种测量半导体中杂质活化能的方法 公开/授权日:2020-07-03