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公开(公告)号：CN112290781A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011573345.8
申请日：2020-12-28
申请人： 深圳第三代半导体研究院
IPC分类号： H02M1/08
摘要： 本发明提供了一种用于开关电源反馈系统的信号隔离电路，所述隔离电路包括反馈及补偿电路、调制器、隔离介质、变压器、解调器；所述反馈及补偿电路连接在转换器的输出侧，用于将反馈信号送入所述调制器；所述调制器用于将反馈信号调制成开关信号，其频率与反馈信号的电压或电流成正比；所述开关信号通过基片集成的隔离介质传送到解调器；所述解调器用于将所述开关信号恢复成和原始输入信号成比例的电压或电流信号，传送到控制器，由控制器返回转换器，由此将输出侧的反馈信号传递给输入侧的控制器，构成闭环控制回路。本发明可以有效减小反馈电路的体积，大幅增加系统可靠性，对隔离媒介的要求非常低，降低了成本。
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公开(公告)号：CN111740572B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010792819.1
申请日：2020-08-10
申请人： 深圳第三代半导体研究院
IPC分类号： H02M1/08
摘要： 本发明涉及峰值电流模式控制器技术领域，公开了一种具有双环控制结构的峰值电流模式控制器和开关电源，该控制器包括内环控制电路和外环控制电路，外环控制电路用于对内环控制电路的误差进行矫正；内环控制电路包括数字输入单元和电流采样电路，电流采样电路的输出与外环控制电路设定的参考电流反向相加，并由数字输入单元与固定阈值相比较从而确定何时停止驱动功率器件的门级，实现脉冲宽度调制和/或脉冲频率调制。实现控制电路功耗的降低和自动轻载跳脉冲工作模式，从而减小了系统的静态、动态损耗，提高了转换器的效率。
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公开(公告)号：CN112383211A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011599563.9
申请日：2020-12-30
申请人： 深圳第三代半导体研究院
IPC分类号： H02M1/088
摘要： 本发明涉及一种用于驱动功率器件的驱动电路，输入信号输入发送器，发送器的输出信号输入隔离变压器，隔离变压器的输出信号进入一个或多个接收器，接收器的输出信号连接至一个或多个功率器件，并驱动一个或多个功率器件；其中，输入信号被发送器中的调制器调制到一高频载波上，并由发送器中的原边驱动器放大，用以驱动隔离变压器；隔离变压器的输出信号被接收器恢复出驱动电源和调制信号，并经过解调得到栅极驱动信号，放大后驱动功率器件的栅极。本发明使用高载波频率用以传递信号和电能，并用整流器、稳压器、解调器恢复的电源和信号产生栅极驱动电压，隔离变压器只需要传递很小的平均功率，且由于载波频率非常高，变压器的尺寸得以大幅减小。
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公开(公告)号：CN111509033A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010263036.4
申请日：2020-04-07
申请人： 深圳第三代半导体研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明提出一种极化掺杂的SBD二极管及其制备方法，所述SBD二极管结构自下而上依次为GaN衬底、n型GaN层、n-型GaN层、渐变掺杂的AlGaN结构、嵌入所述n-型GaN层的高阻区、位于所述GaN衬底底部的阴极和位于顶部所述GaN层上的阳极，其中渐变掺杂的AlxGa1-xN结构底层为n-AlGaN层，顶层为n-GaN层，Al组分自下而上逐渐减小，其中0≤x≤1；所述高阻区上表面与顶部所述n-GaN层共面。用渐变掺杂方法对n型区域进行极性掺杂，采用氧化层终端结构提高SBD击穿电压的同时解决正向导通电压低和正向导通电流小的问题。
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公开(公告)号：CN111128783A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911392281.9
申请日：2019-12-30
申请人： 深圳第三代半导体研究院
摘要： 本发明公开了一种少数载流子寿命的纵向分布的测试系统和方法。该方法至少包括：照射激发部11，包含用于照射样品产生光致载流子的不同波长的光源14和产生对半导体材料照射的微波产生器15；经过加工的待测样品12；检测部13，用于检测穿透半导体材料的微波强度，检测部根据检测到的微波信号强度，转换为电信号，计算出样品材料的少数载流子寿命。为了实现少数载流子寿命的纵向分布的测试，待检测样品12需要进行特别处理，通过表面加工处理成梯形，依据上表面斜率计算得出不同测试点处对应的深度的少数载流子寿命，从而得出SiC厚外延少数载流子寿命的纵向分布。
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公开(公告)号：CN111509033B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202010263036.4
申请日：2020-04-07
申请人： 深圳第三代半导体研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明提出一种极化掺杂的SBD二极管及其制备方法，所述SBD二极管结构自下而上依次为GaN衬底、n型GaN层、n‑型GaN层、渐变掺杂的AlGaN结构、嵌入所述n‑型GaN层的高阻区、位于所述GaN衬底底部的阴极和位于顶部所述GaN层上的阳极，其中渐变掺杂的AlxGa1‑xN结构底层为n‑AlGaN层，顶层为n‑GaN层，Al组分自下而上逐渐减小，其中0≤x≤1；所述高阻区上表面与顶部所述n‑GaN层共面。用渐变掺杂方法对n型区域进行极性掺杂，采用氧化层终端结构提高SBD击穿电压的同时解决正向导通电压低和正向导通电流小的问题。
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公开(公告)号：CN111665295A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010467435.2
申请日：2020-05-28
申请人： 深圳第三代半导体研究院
摘要： 本发明实施例涉及固体及半导体器件测试分析及检测技术，公开了一种固体材料及半导体器件内部缺陷检测方法，利用超声波对待测固体材料或者半导体器件进行检测，该方法首先准备超声波设备，超声波设备包括声学信号源、声学换能器、声波采集模块和声波分析模块；在待测固体器件和声学换能器之间涂覆耦合剂材料；声学信号源发出超声信号，待测固体器件与声学换能器耦合而传输超声波；声波采集模块采集待测固体器件声波图像；声波分析模块对声波图像进行分析，获取待测固体器件内部形貌数据。非破坏测量样品表面及内部形貌的方法，简单方便。此法可改善样品与换能器之间的超声波信号传输的效果，极大地提高扫描探针声学显微镜的成像质量。
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公开(公告)号：CN111366833A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010182382.X
申请日：2020-03-16
申请人： 深圳第三代半导体研究院
IPC分类号： G01R31/265 , G01N21/64
摘要： 本发明实施例涉及半导体材料分析及检测技术，公开了一种测量半导体中杂质活化能的方法，拓展了时间分辨荧光光谱的应用场合。包括以下步骤：半导体中的杂质参与荧光辐射复合发光。获取杂质发光峰的波长及半峰宽；确定带通滤波片，确定激光激发强度，测定不同温度下对应发光峰的荧光强度衰减曲线，记录t＝0时刻探测器所得的荧光最大强度；对不同温度下探测器所测得的荧光最大强度和温度的倒数绘制阿累尼乌斯曲线进行线性拟合得到斜率后，乘以玻尔兹曼常数取得杂质的活化能。该方法利用变温时间分辨荧光光谱不仅可以获得温度依赖的载流子寿命的信息，而且可以求得杂质引入能级的活化能，简单方便，易操作，实验成本大幅降低同时运算效率大大提高。
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公开(公告)号：CN111916341B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202010841304.6
申请日：2020-08-19
申请人： 深圳第三代半导体研究院
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明实施例涉及半导体晶体生长技术，公开了一种氧化镓薄膜晶体生长方法，用载气将含镓源的金属有机化合物和含氧物质的气态源分别通入MOCVD设备中，在低温下对衬底进行一层低温氧化镓材料的生长；关闭金属有机化合物源，打开高温加热源，进行高温快速退火；重复上述过程，关闭高温加热源，对高温快速退火之后生长有氧化镓材料的衬底在低温下继续生长。由于氧化镓材料的低温生长和高温退火是在同一反应室内连续进行，中间的热处理过程不需要将样品取出。可以方便地进行多次高低温调制生长，大大提高了氧化镓的生长效率。也有效避免了传统方法取出样品，到反应室外的专用退火炉中进行退火所造成的样品污染，提高了样品的清洁度和结晶质量。
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公开(公告)号：CN111366833B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202010182382.X
申请日：2020-03-16
申请人： 深圳第三代半导体研究院
IPC分类号： G01R31/265 , G01N21/64
摘要： 本发明实施例涉及半导体材料分析及检测技术，公开了一种测量半导体中杂质活化能的方法，拓展了时间分辨荧光光谱的应用场合。包括以下步骤：半导体中的杂质参与荧光辐射复合发光。获取杂质发光峰的波长及半峰宽；确定带通滤波片，确定激光激发强度，测定不同温度下对应发光峰的荧光强度衰减曲线，记录t＝0时刻探测器所得的荧光最大强度；对不同温度下探测器所测得的荧光最大强度和温度的倒数绘制阿累尼乌斯曲线进行线性拟合得到斜率后，乘以玻尔兹曼常数取得杂质的活化能。该方法利用变温时间分辨荧光光谱不仅可以获得温度依赖的载流子寿命的信息，而且可以求得杂质引入能级的活化能，简单方便，易操作，实验成本大幅降低同时运算效率大大提高。
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