本发明提供一种光刻胶清洗液，包括：(a)醇胺；(b)硼酸及其衍生物；(c)苯并三氮唑及其衍生物；(d)水；(e)有机溶剂。本发明的光刻胶清洗液可有效地去除晶圆上的光阻残留物，同时对金属铝、铜、钛、钨、金、银、钼、ITO等基本无腐蚀，特别对金属银极低的腐蚀；本发明的光刻胶清洗液不含有季胺氢氧化物，解决了传统季铵盐类、羟胺类清洗液价格昂贵、不环保、腐蚀性大等问题；本发明的光刻胶清洗液解决了传统清洗液在清洗操作中由于水的吸收导致腐蚀增大的问题，具有较大操作窗口，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。