公开(公告)号：CN118271970A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211711773.1

申请日：2022-12-29

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 郑闪闪 ,  李昀 ,  荆建芬 ,  马健 ,  杨俊雅 ,  李瑾琳 ,  周文婷 ,  周靖宇 ,  王曦 ,  刘天奇 ,  王苗苗 ,  王正

IPC分类号： C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  C23F3/04

摘要： 本发明揭示了一种用于铜抛光的化学机械抛光液，该抛光液包括研磨颗粒，含氮杂环类腐蚀抑制剂、络合剂、非离子表面活性剂以及氧化剂，所述络合剂为氨羧化合物及其盐。采用本领域的化学机械抛光液在保持较高的铜去除速率的同时，能够显著改善铜表面的粗糙度，减少表面缺陷数量，抑制抛光液对铜表面的腐蚀。

公开(公告)号：CN118271359A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211718695.8

申请日：2022-12-29

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 夏德勇 ,  刘兵 ,  陈艳 ,  王志豪 ,  温启蒙

IPC分类号： C07F9/09 ,  C08G79/04 ,  C07F7/08 ,  C07F7/10 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  H01M10/056 ,  H01M10/0525 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供了一种制备硅基无机酸酯的方法，包括S1：在惰性气体氛围下，向反应容器内添加无机酸和硅烷化合物；S2：搅拌均匀，继续向所述反应容器中添加催化剂，保持70‑170℃，持续回流4‑12小时；S3：得到产品粗品，进行减压处理，纯化得到最终产物。本发明中的技术方案可以采用常规无机酸为原料，与带可反应基团的硅烷原料通过化学键合的方法直接将硅烷键合到无机酸材料上，制备得到硅基无机酸酯化合物，并且操作简单、原料易得、适于工业化生产、后处理简单、能得到高品质产品。

公开(公告)号：CN118270824A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211718840.2

申请日：2022-12-30

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 杨磊 ,  尹先升 ,  王振新

IPC分类号： C01F17/235 ,  C09G1/02 ,  C01F17/10

摘要： 本发明提供了一种氧化铈的合成方法，包括，S1：分别配置可溶性铈盐水溶液和沉淀剂水溶液，将所述可溶性铈盐水溶液加入至沉淀剂水溶液中，在室温下搅拌；S2：升温至反应温度，保持所述反应温度第一时间；S3：冷却至室温，过滤洗涤沉淀物，并进行干燥，得到球形碳酸铈粉末；S4：高温焙烧所述球形碳酸铈粉末，得到氧化铈产物。本发明的氧化铈合成方法能够合成球形氧化铈；并且，能够实现对球形氧化铈磨料形貌控制；通过本发明中的合成方法合成出的氧化铈磨料在抛光过程中对硅片的划伤率较低。

公开(公告)号：CN118270822A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211718694.3

申请日：2022-12-29

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 尹先升 ,  刘同君 ,  李节

IPC分类号： C01F17/235 ,  C01F17/10 ,  B82Y40/00 ,  C09G1/02

摘要： 本发明提供了一种氧化铈的合成方法，包括，S1：分别配置可溶性铈盐水溶液和沉淀剂水溶液，所述可溶性铈盐掺杂可溶性非稀土化合物，将所述可溶性铈盐水溶液加入至所述沉淀剂水溶液中，在密闭反应容器中混合，常温下进行剧烈搅拌；S2：升温至晶化温度，进行晶化合成反应；S3：分离固体，依次进行干燥和焙烧，得到氧化铈产物。相较于现有技术，本发明的氧化铈合成方法通过元素掺杂对颗粒形貌和抛光活性的调控，所合成氧化铈经分散处理后，显示出良好的CMP抛光性能。

公开(公告)号：CN118256152A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211698186.3

申请日：2022-12-28

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 邱欢 ,  荆建芬 ,  姚颖 ,  王欣 ,  陆弘毅 ,  蔡鑫元 ,  周文婷 ,  杨俊雅 ,  郑闪闪 ,  宋凯 ,  明伟 ,  王拓

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液包括非离子型表面活性剂和研磨颗粒。本发明中的化学机械抛光液，通过添加非离子表面活性剂，能够调节不同二氧化硅材料的去除速率，从而可以调节不同材料间的选择比，满足工艺需求。

公开(公告)号：CN118240484A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202211664038.X

申请日：2022-12-22

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 李星 ,  王晨 ,  何华锋 ,  顾钦源 ,  史经深 ,  李全干 ,  王嵩

IPC分类号： C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  C23F11/04

摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括水，研磨颗粒，钨抛光促进剂、稳定剂、过氧化物、第一腐蚀抑制剂、第二腐蚀抑制剂。本发明中的化学机械抛光液，协同使用两种腐蚀抑制剂，同时配合特定含量范围的其他添加剂，可以显著减少钨静态腐蚀速率，同时保证较高的钨的抛光速率，更加符合实际生产需求。

公开(公告)号：CN111381458B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201811613960.X

申请日：2018-12-27

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 孙广胜 ,  刘兵 ,  张维棚 ,  周前付 ,  赵鹏

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明提供一种光刻胶清洗液，包括：(a)醇胺；(b)硼酸及其衍生物；(c)苯并三氮唑及其衍生物；(d)水；(e)有机溶剂。本发明的光刻胶清洗液可有效地去除晶圆上的光阻残留物，同时对金属铝、铜、钛、钨、金、银、钼、ITO等基本无腐蚀，特别对金属银极低的腐蚀；本发明的光刻胶清洗液不含有季胺氢氧化物，解决了传统季铵盐类、羟胺类清洗液价格昂贵、不环保、腐蚀性大等问题；本发明的光刻胶清洗液解决了传统清洗液在清洗操作中由于水的吸收导致腐蚀增大的问题，具有较大操作窗口，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN113122147B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201911409281.5

申请日：2019-12-31

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 周靖宇 ,  马健 ,  荆建芬 ,  姚颖 ,  杨俊雅 ,  倪宇飞 ,  汪国豪 ,  黄悦锐 ,  王雨春

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/306

摘要： 本发明旨在提供一种用于含碳材料的抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液，包含磨料、氧化剂和有机膦酸，该抛光液在维持较高的含碳材料去除速率的同时，避免抛光过程的副产物在抛光垫上沉积，延长了抛光垫的使用寿命，降低了抛光后晶圆表面的缺陷。

公开(公告)号：CN112570355B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201910938740.2

申请日：2019-09-30

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 丁姜宏 ,  刘兵 ,  彭洪修

IPC分类号： B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B13/00

摘要： 本发明提供了一种精馏玻璃设备的清洗方法，通过后续清洗，可以将精馏玻璃设备可以应用于ppb级试剂的制备中，解决了高硅硼玻璃在电子级试剂制备中的应用过程中金属离子、杂质颗粒溶出的问题，在玻璃清洗领域具有良好的使用前景。

公开(公告)号：CN116426219A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202111654879.8

申请日：2021-12-30

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 杨俊雅 ,  荆建芬 ,  郑闪闪 ,  蔡鑫元 ,  李瑾琳 ,  王曦 ,  唐浩杰 ,  汪国豪 ,  杨征 ,  王苗苗

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。具体的，所述化学机械抛光液包含研磨颗粒，络合剂，腐蚀抑制剂，羧酸酯类化合物，金属表面缺陷改善剂和氧化剂。本发明中的化学机械抛光液可应用于金属铜互连的抛光，具有较高的金属铜去除速率，并且对钽的去除速率低，从而具有较高的铜/钽去除速率选择比，同时可以改善抛光后铜线的碟形凹陷和介质层侵蚀，并降低抛光后的铜表面粗糙度和表面缺陷数。