本申请公开了一种PIPN结构的发光二极管及其制备方法，该发光二极管在有源层和N型结构层之间设置了一层P型插入层，P型插入层一方面可作为电子的阻挡层，降低电子传输效率。另一方面由于P型插入层的存在，使得发光二极管由原本的PIN结构变成PIPN结构，这将大大减少整个有源层的内建电场，该内建电场的方向由N型结构层指向P型空穴供给层，即该内建电场对空穴的电场力阻碍了有源层中空穴往N型结构层方向的传输，因此对该内建电场的减弱有利于提高空穴向N型结构层方向的传输。P型插入层在这两方面的作用，可缩小电子和空穴传输效率的差异，从而使得电子和空穴在有源层中可以均匀分布，大大提高了电子和空穴的碰撞几率，进而提升辐射复合效率。